Formation of the Depletion Region T

Formation of the Depletion Region The free electrons in the n region are randomly drifting in all directions. At the instant of the pn junction formation, the free electrons near the junction in the n region begin to diffuse across the junction into the p region where they combine with holes near the junction, as shown in Figure 1–19(b). Before the pn junction is formed, recall that there are as many electrons as protons in the n-type material, making the material neutral in terms of net charge. The same is true for the p-type material. When the pn junction is formed, the n region loses free electrons as they diffuse across the junction. This creates a layer of positive charges (pentavalent ions) near the junction. As the electrons move across the junction, the p region loses holes as the electrons and holes combine. This creates a layer of negative charges (trivalent ions) near the junction. These two layers of positive and negative charges form the depletion region, as shown in Figure 1–19(b). The term depletion refers to the fact that the region near the pn junction is depleted of charge carriers (electrons and holes) due to diffusion across the junction. Keep in mind that the depletion region is formed very quickly and is very thin compared to the n region and p region. After the initial surge of free electrons across the pn junction, the depletion region has expanded to a point where equilibrium is established and there is no further diffusion of

Kết quả (Việt) 2:

Hình thành các khu vực suy giảm electron tự do trong khu vực n đang trôi ngẫu nhiên trong tất cả các hướng. Tại tức thời của sự hình thành pn đường giao nhau, các electron tự do gần đường giao nhau trong khu vực n bắt đầu khuếch tán qua ngã vào khu vực p nơi họ kết hợp với lỗ gần đường giao nhau, như thể hiện trong hình 1-19 (b). Trước khi tiếp giáp pn được hình thành, nhớ lại rằng có nhiều electron như proton trong nguyên liệu loại n, làm cho các trung liệu về phí ròng. Điều này cũng đúng đối với các nguyên liệu loại p. Khi tiếp giáp pn được hình thành, các khu vực n mất electron tự do như họ khuếch tán qua ngã tư. Điều này tạo ra một lớp điện tích dương (ion pentavalent) gần đường giao nhau. Khi các electron di chuyển qua ngã tư, khu vực p thua lỗ như các electron và lỗ kết hợp. Điều này tạo ra một lớp điện tích âm (ion hóa trị ba) gần đường giao nhau. Những hai lớp điện tích dương và âm hình thành các vùng nghèo, như thể hiện trong hình 1-19 (b). Sự suy giảm hạn đề cập đến thực tế là khu vực gần đường giao nhau pn đang cạn kiệt của các hạt mang điện (electron và lỗ) do khuếch tán qua ngã tư. Hãy nhớ rằng các vùng nghèo được hình thành rất nhanh và rất mỏng so với các khu vực n và p khu vực. Sau khi tăng ban đầu của các electron tự do trên khắp các ngã ba pn, các vùng nghèo đã mở rộng đến một điểm mà cân bằng được thiết lập và không có khuếch tán hơn nữa