To reveal the nature of the filter

To reveal the nature of the filter structure shown in Fig. 1, we first investigated the bandpass characteristics with different lengths of the coupled line (L). Simulation has been done by
using a moment method based commercial software, IE3D. Table I lists the default parameters of the substrate and the dimensions of the filter. Figure 3 shows simulation results of the basic (one section) bandpass filter, from which one can see that the filter has first pole at DC and has second pole (resonant point) at high frequency end which is responding to the length of the coupled line. In this case, since the gap is relatively large (G = 1.5 mm), the mutual coupling between two microstrip lines becomes very week. The resonant frequency versus the length of the coupled line is plotted in Fig. 4, where one can see that L/ λg (λg
= λ 0/√εr ) keeps as almost a constant about 0.47, a number closed to 1/2, indicating that the coupled lines being resonant when the length reaches one half guided wavelength. This
simple property makes the design of filter easy. Figure 5 shows how the bandpass characteristics changes with gap (G) as a parameter while keeping L = 7 mm. An interesting phenomenon can be found that while as G increases from 0.2 mm to 1.5 mm, the resonant frequency increases as well for the reduction of the mutual coupling between the two microstrip lines (hence the equivalent length reduced), the point where the insertion loss getting increased quickly has almost no change, however. This indicates that one can improve the sharpness of the bandpass skirt by using a narrower gap. The resonant frequency versus the gap is plotted in Fig. 6, where the resonant frequency increases almost linearly with changing of the gap in log scale when gap is under about 1.2 (roughly two times of the thickness of the substrate) and getting saturation after 1.5 from simulation.

Kết quả (Việt) 1:

Để lộ bản chất của các cấu trúc lọc Hiển thị trong hình 1, chúng tôi lần đầu tiên nghiên cứu các đặc tính bandpass với độ dài khác nhau cùng dòng (L). Mô phỏng đã được thực hiệnbằng cách sử dụng một phương pháp thời điểm dựa trên phần mềm thương mại, IE3D. Bảng tôi liệt kê các thông số mặc định của bề mặt và kích thước của các bộ lọc. Hình 3 cho thấy kết quả mô phỏng của các bộ lọc (một phần) bandpass cơ bản, từ đó ta có thể thấy rằng các bộ lọc có đầu tiên cực tại DC và có hai cực (cộng hưởng điểm) ở tần số cao cuối là đáp ứng độ dài của đường cùng. Trong trường hợp này, vì khoảng cách tương đối lớn (G = 1,5 mm), lẫn nhau khớp nối giữa hai dòng microstrip trở nên rất tuần. Tần số cộng hưởng so với chiều dài của đường cùng được vẽ trong hình 4, nơi ta có thể thấy rằng L / λg (λg = Λ 0/√εr) giữ như là gần như là một hằng số về 0,47, một số đóng cửa để 1/2, chỉ ra rằng những dòng cùng bị cộng hưởng khi đạt tới chiều dài một nửa bước sóng có hướng dẫn. Điều nàysimple property makes the design of filter easy. Figure 5 shows how the bandpass characteristics changes with gap (G) as a parameter while keeping L = 7 mm. An interesting phenomenon can be found that while as G increases from 0.2 mm to 1.5 mm, the resonant frequency increases as well for the reduction of the mutual coupling between the two microstrip lines (hence the equivalent length reduced), the point where the insertion loss getting increased quickly has almost no change, however. This indicates that one can improve the sharpness of the bandpass skirt by using a narrower gap. The resonant frequency versus the gap is plotted in Fig. 6, where the resonant frequency increases almost linearly with changing of the gap in log scale when gap is under about 1.2 (roughly two times of the thickness of the substrate) and getting saturation after 1.5 from simulation.

Kết quả (Việt) 2:

Để tiết lộ bản chất của cấu trúc bộ lọc hình. 1, lần đầu tiên chúng tôi nghiên cứu các đặc điểm bandpass với độ dài khác nhau của đường nối (L). Mô phỏng đã được thực hiện bằng cách
sử dụng một phần mềm thương mại phương pháp thời điểm dựa, IE3D. Bảng I liệt kê các thông số mặc định của chất nền và kích thước của bộ lọc. Hình 3 cho thấy kết quả mô phỏng của bộ lọc bandpass (một phần) cơ bản, từ đó người ta có thể thấy rằng các bộ lọc có cực đầu tiên tại DC và có cực thứ hai (điểm cộng hưởng) ở cuối tần số cao mà là đáp ứng với chiều dài của đường cùng . Trong trường hợp này, vì khoảng cách tương đối lớn (G = 1,5 mm), các khớp nối lẫn nhau giữa hai dòng microstrip trở nên rất tuần. Các tần số cộng hưởng so với chiều dài của đường cùng được vẽ trong hình. 4, nơi người ta có thể thấy rằng L / λg (λg
= λ 0 / √εr) giữ gần như là một hằng số khoảng 0,47, một số đóng cửa để 1/2, cho thấy rằng các dòng cùng được cộng hưởng khi chiều dài đạt một nửa hướng dẫn bước sóng . Điều này
tài sản đơn giản làm cho việc thiết kế các bộ lọc dễ dàng. Hình 5 cho thấy sự thay đổi của các đặc tính bandpass với khoảng cách (G) như là một tham số trong khi vẫn giữ L = 7 mm. Một hiện tượng thú vị có thể thấy rằng trong khi G tăng từ 0,2 mm đến 1,5 mm, tần số tăng cộng hưởng cũng như cho việc giảm các khớp nối lẫn nhau giữa hai dòng microstrip (do đó chiều dài tương đương giảm), điểm mà sự mất mát chèn việc tăng nhanh gần như không có sự thay đổi, tuy nhiên. Điều này chỉ ra rằng người ta có thể cải thiện độ sắc nét của váy bandpass bằng cách sử dụng một khoảng cách hẹp hơn. Các tần số cộng hưởng so với khoảng cách được vẽ trong hình. 6, nơi mà các tần số cộng hưởng tăng gần như tuyến tính với thay đổi của khoảng trống trong quy mô đăng nhập khi khoảng cách là dưới 1,2 (khoảng hai lần độ dày của chất nền) và nhận được bão hòa sau 1,5 từ mô phỏng.