If the collector junction of a tran

If the collector junction of a transistor is forward biased, we cannot neglect Apc instead, we must use a more general hole distribution in the base re¬gion. Figure 7-9a illustrates a situation in which the emitter and collector junctions are both forward biased, so that ApE and Apc are positive numbers. We can handle this situation with Eqs. (7-18) and (7-19) for the symmetrical transistor. It is interesting to note that these equations can be considered as linear superpositions of the effects of injection by each junction. For exam¬ple, the straight line hole distribution of Fig. 7-9a can be broken into the two components of Figs. 7-9b and 7-9c. One component (Fig. 7-9b) accounts for the holes injected by the emitter and collected by the collector. We can call the resulting currents (IEN and ICN) the normal mode components, since they are

Kết quả (Việt) 1:

Nếu giao lộ nhà sưu tập của một bóng bán dẫn thành kiến về phía trước, chúng tôi không thể bỏ qua Apc thay vào đó, chúng ta phải sử dụng một phân phối tổng quát hơn lỗ trong re¬gion cơ sở. Hình 7-9a minh hoạ một tình huống mà trong đó các nút phát và thu được cả hai phía trước thành kiến, do đó, rằng ApE và Apc là số dương. Chúng tôi có thể xử lý tình trạng này với Eqs. (7-18) và (7-19) cho transistor đối xứng. Nó là thú vị để lưu ý rằng các phương trình có thể được coi là tuyến tính superpositions của những tác động của tiêm của mỗi giao lộ. Cho exam¬ple, phân phối lỗ đường thẳng hình 7-9a có thể được chia thành hai thành phần Figs. 7-9b và 7-9c. Một thành phần (hình 7-9b) tài khoản cho các lỗ tiêm bởi emitter và thu thập bởi các nhà sưu tập. Chúng tôi có thể gọi dòng kết quả (IEN và ICN) thành phần chế độ bình thường, vì chúng là

Kết quả (Việt) 2:

Nếu ngã ba bộ sưu tập của một bóng bán dẫn là phía trước thành kiến, chúng ta không thể bỏ bê Apc thay vào đó, chúng ta phải sử dụng một phân phối lỗ tổng quát hơn trong re¬gion cơ sở. Hình 7-9a minh họa một tình huống trong đó bộ phát và thu các nút đều mong thiên vị, vì vậy mà APE và APC là số dương. Chúng tôi có thể xử lý tình trạng này với phương trình. (7-18) và (7-19) cho các bóng bán dẫn đối xứng. Nó là thú vị để lưu ý rằng những phương trình này có thể được coi như là sự chồng chất tuyến tính của các ảnh hưởng của tiêm mỗi ngã. Đối exam¬ple, sự phân bố lỗ đường thẳng của hình. 7-9a có thể được chia thành hai thành phần của Figs. 7-9b và 7-9c. Một thành phần (Hình. 7-9b) chiếm các lỗ tiêm bởi máy phát và thu thập bởi các nhà sưu tập. Chúng ta có thể gọi các dòng dẫn (IEN và ICN) các thành phần chế độ bình thường, vì chúng là