As a third example, the band struct

As a third example, the band structure of silicon is shown (Fig. 5.23). Of
particular interest is the area between 0 and approximately 1 eV in which
no energy bands are shown. This “energy gap,” which is responsible for
the well-known semiconductor properties, will be the subject of detailed
discussion in a later chapter. For semiconductors, the zero point of the
energy scale is placed at the bottom of this energy gap, even though other
conventions are possible and in use.

Kết quả (Việt) 1:

Như là một ví dụ thứ ba, cấu trúc Silicon Hiển thị (hình 5.23). Củaquan tâm đặc biệt là khu vực giữa 0 và khoảng 1 eV màkhông có vùng năng lượng được hiển thị. "Năng lượng khoảng cách này," đó là trách nhiệmCác tính chất bán dẫn nổi tiếng, sẽ là chủ đề của chi tiếtthảo luận trong một chương sau này. Cho chất bán dẫn, zero điểm của cácquy mô năng lượng được đặt ở dưới cùng của lỗ hổng năng lượng này, mặc dù khácCông ước là có thể và sử dụng.

Kết quả (Việt) 2:

Như một ví dụ thứ ba, cơ cấu ban nhạc của silicon được hiển thị (Hình. 5,23). Của
quan tâm đặc biệt là khu vực giữa 0 và khoảng 1 eV, trong đó
không có dải năng lượng được hiển thị. Điều này "khoảng cách năng lượng", mà là chịu trách nhiệm về
các tính chất bán dẫn nổi tiếng, sẽ là đối tượng của chi tiết
thảo luận trong chương sau. Đối với các chất bán dẫn, các điểm zero của
quy mô năng lượng được đặt ở dưới cùng của khe năng lượng này, mặc dù khác
ước là có thể và sử dụng.