The start of a write cycle begins b

The start of a write cycle begins by applying the value to be written to the bit lines. If we wish to write a 0, we would apply a 0 to the bit lines, i.e. setting BL to 1 and BL to 0. This is similar to applying a reset pulse to an SR-latch, which causes the flip flop to change state. A 1 is written by inverting the values of the bit lines. WL is then asserted and the value that is to be stored is latched in. Note that the reason this works is that the bit line input-drivers are designed to be much stronger than the relatively weak transistors in the cell itself, so that they can easily override the previous state of the cross-coupled inverters. Careful sizing of the transistors in an SRAM cell is needed to ensure proper operation.

Kết quả (Việt) 1:

Bắt đầu một chu kỳ viết bắt đầu bằng cách áp dụng giá trị ghi những dòng chút. Nếu chúng tôi muốn viết một 0, chúng tôi sẽ áp dụng một 0 cho dòng chút, tức là cài đặt BL 1 và BL 0. Điều này là tương tự như việc áp dụng một thiết lập lại xung để một SR-chốt, khiến các flop flip để thay đổi trạng thái. Một 1 được viết bằng đảo ngược các giá trị của các dòng chút. WL sau đó khẳng định và giá trị là để lưu trữ latched vào. Lưu ý rằng lý do công trình này là các bit dòng đầu vào-trình điều khiển được thiết kế để mạnh hơn nhiều so với các bóng bán dẫn tương đối yếu trong tế bào riêng của mình, để họ có thể dễ dàng ghi đè lên trạng thái trước của biến tần cùng đường. Cẩn thận định cỡ của bóng bán dẫn trong một tế bào SRAM cần thiết để đảm bảo hoạt động không đúng.

Kết quả (Việt) 2:

Sự bắt đầu của một chu kỳ ghi bắt đầu bằng cách áp dụng các giá trị phải được ghi vào các dòng bit. Nếu chúng ta muốn viết một 0, chúng tôi sẽ áp dụng một 0 với các dòng bit, tức là thiết lập để 1 BL và BL đến 0. Điều này cũng tương tự như áp dụng một xung reset để một SR-chốt, mà nguyên nhân của flip flop để thay đổi trạng thái . A 1 được viết bằng cách đảo ngược các giá trị của các dòng bit. WL sau đó được khẳng định và giá trị mà là để được lưu trữ được bám vào. Lưu ý rằng lý do công trình này là dòng bit đầu vào-trình điều khiển được thiết kế để được mạnh mẽ hơn nhiều so với các bóng bán dẫn tương đối yếu trong tế bào riêng của mình, để họ có thể dễ dàng ghi đè lên các trạng thái trước đó của biến tần cross-coupled. Kích thước cẩn thận của các bóng bán dẫn trong một tế bào SRAM là cần thiết để đảm bảo hoạt động tốt.