2.5 Entering and Exiting High-Volta

2.5 Entering and Exiting High-Voltage
ICSP Program/Verify Mode
As shown in Figure 2-11, the High-Voltage ICSP
Program/Verify mode is entered by holding PGC and
PGD low and then raising MCLR/VPP/RE3 to VIHH
(high voltage). Once in this mode, the code memory,
data EEPROM (selected devices only, see Section 3.3
“Data EEPROM Programming”), ID locations and
Configuration bits can be accessed and programmed in
serial fashion. Figure 2-12 shows the exit sequence.
The sequence that enters the device into the Program/
Verify mode places all unused I/Os in the high-impedance
state.
FIGURE 2-11:

Kết quả (Việt) 1:

2.5 nhập và thoát khỏi cao ápICSP chương trình/xác nhận chế độNhư minh hoạ trong hình 2-11, ICSP cao ápChương trình/kiểm tra chế độ được nhập bằng cách giữ PGC vàPGD thấp và sau đó nâng cao VPP/MCLR RE3 để VIHH(điện áp cao). Một lần trong chế độ này, bộ nhớ mã,dữ liệu EEPROM (thiết bị đã chọn chỉ, xem phần 3.3"Dữ liệu EEPROM lập trình"), ID địa điểm vàCấu hình bit có thể được truy cập và được lập trình trongnối tiếp thời trang. Hình 2-12 cho thấy trình tự thoát.Trình tự nhập thiết bị vào chương trình /Xác minh chế độ đặt tất cả không sử dụng I/Os trong trở kháng caonhà nước.HÌNH 2-11:

Kết quả (Việt) 2:

2.5 Nhập và Thoát khỏi điện cao áp
Chương trình ICSP / Xác nhận chế độ
như thể hiện trong hình 2-11, High-Voltage ICSP
Program / ​​mode Xác được nhập bằng cách giữ PGC và
PGD thấp và sau đó nâng MCLR / VPP / RE3 để VIHH
(điện áp cao ). Khi ở chế độ này, bộ nhớ mã,
dữ liệu EEPROM (thiết bị đã chọn, xem Phần 3.3
"Data EEPROM Programming"), vị trí ID và
cấu hình bit có thể được truy cập và lập trình trong
thời trang nối tiếp. Hình 2-12 cho thấy trình tự thoát.
Trình tự vào các thiết bị vào chương trình /
Xác nhận chế độ tất cả những nơi tôi không sử dụng / O trong các trở kháng cao
nhà nước.
HÌNH 2-11: