The scattering rate from charged di

The scattering rate from charged dislocations was found 8–11 to be proportional to the square of the fraction of filled javascript:alert_tanchu('fy_to');void(0)traps introduced by dislocations, . In the literature,12–15 this scattering was exaggerated with the choice . A comparison with mobility data obtained for AlGaN/GaN at rather high 2DEG densities cm-2 led to the hypothesis 1,16 that the dislocation scattering even with is not strong enough to limit 2DEG mobilities at present and that there must be stronger scattering mechanisms in operation. This is further supported by the fact that each dislocation has a lower felling fraction due to correlations among them.13

Kết quả (Việt) 1:

Tỷ lệ tán xạ từ tính dislocations đã được tìm thấy 8 – 11 được tỉ lệ với bình phương của các phần filled javascript:alert_tanchu('fy_to'); void (0) bẫy được giới thiệu bởi dislocations. Trong các tài liệu, 12-15 tán xạ này đã được phóng đại với sự lựa chọn. Một so sánh với các dữ liệu di động đạt được cho AlGaN/GaN khá cao 2DEG mật độ cm-2 đã dẫn đến giả thuyết 1,16 tán xạ phân chia ngay cả với không phải là đủ mạnh để hạn chế 2DEG mobilities hiện nay và rằng phải có cơ chế tán xạ mạnh hơn trong hoạt động. Điều này tiếp tục được hỗ trợ bởi thực tế là phân chia từng có một phần nhỏ đốn thấp do tương quan giữa các them.13