Fig. 4shows schematically theenerge

Fig. 4shows schematically the
energetic intra-gap positions of the bulk shallow levels and the
two kinds of surface oxygen vacancies (100
◦
and 130
◦
coordinated). According to this, the four recombinations from conduction band and bulk shallow levels to the surface vacancy
levels would arise four mean energy values compatible with the

Kết quả (Việt) 1:

Hình 4shows schematically cáctràn đầy năng lượng nội-khoảng cách vị trí nông độ số lượng lớn và cáchai loại vị trí bề mặt oxy (100◦và 130◦phối hợp). Theo điều này, các recombinations bốn từ dẫn cấp nông ban nhạc và số lượng lớn cho các công việc bề mặtcấp sẽ phát sinh bốn giá trị năng lượng có nghĩa là tương thích với các