The complex physics of the PV cell

The complex physics of the PV cell can be represented by the equivalent electrical circuit shown in Figure 9.6. The circuit parameters are as follows. The current I at the output terminals is equal to the light-generated current IL, less the diode current Id and the shunt-leakage current Ish. The series resistance Rs represents the internal resistance to the current flow, and depends on the pn junction depth, impurities, and contact resistance. The shunt resistance Rsh is inversely related to the leakage current

Kết quả (Việt) 1:

Vật lý phức tạp của các tế bào PV có thể được đại diện bởi các mạch điện tương đương Hiển thị trong hình 9.6. Các thông số của mạch là như sau. Hiện tại tôi lúc đầu ra thiết bị đầu cuối là tương đương với việc tạo ra ánh sáng hiện tại IL, ít hơn các diode hiện tại Id và rò rỉ shunt hiện tại Ish. Loạt kháng Rs đại diện cho sức đề kháng nội bộ cho flow hiện tại, và phụ thuộc vào pn junction sâu, tạp chất và liên hệ với sức đề kháng. Điện trở shunt Rsh nghịch có liên quan đến sự rò rỉ hiện tại

Kết quả (Việt) 2:

Các vật lý phức tạp của tế bào PV có thể được đại diện bởi các mạch điện tương đương như trong hình 9.6. Các thông số mạch như sau. Tôi hiện tại thiết bị đầu cuối đầu ra bằng ánh sáng tạo hiện tại IL, ít diode hiện Id và Ish hiện shunt-rò rỉ. Các Rs kháng loạt đại diện cho sức đề kháng nội bộ để ow fl hiện tại, và phụ thuộc vào độ sâu pn đường giao nhau, các tạp chất, và điện trở tiếp xúc. Các Rsh kháng shunt là tỷ lệ nghịch với hiện rò rỉ