Epitaxial growth: Due to the intera

Epitaxial growth: Due to the interaction of molecular or atomic beams on a surface of a heated crystalline substrate.
The solid source materials sublimate
They provide an angular distribution of atoms or molecules in a beam.
The substrate is heated to the necessary temperature.
The gaseous elements then condense on the wafer where they may react with each other.

Kết quả (Việt) 1:

Tốc độ tăng trưởng trải: do sự tương tác của chùm tia phân tử hoặc nguyên tử trên bề mặt của một bề mặt tinh thể nước nóng.Các tài liệu rắn nguồn sublimateHọ cung cấp một phân phối góc của nguyên tử hoặc phân tử trong một chùm. Bề mặt được đun nóng đến nhiệt độ cần thiết. Các yếu tố khí sau đó ngưng tụ trên wafer nơi họ có thể phản ứng với nhau.

Kết quả (Việt) 2:

Tăng trưởng epitaxy:. Do sự tương tác của các chùm phân tử hay nguyên tử trên bề mặt của một chất nền tinh thể nước nóng
Các nguồn nguyên liệu rắn thăng hoa
Họ cung cấp một phân phối góc của nguyên tử hay phân tử trong một chùm.
Các bề mặt được làm nóng đến nhiệt độ cần thiết.
Các khí các yếu tố sau đó ngưng tụ trên wafer, nơi họ có thể phản ứng với nhau.