Considering an example where DL is

Considering an example where DL is 0.015um and DW is 0.045um. To simulate a “fast” corner transistor, the transistor is modeled to have a narrower L and a wider W. On the contrary, a “slow” corner transistor is modeled with a wider L and a smaller W. Hence, at the fast corner DL is negative (i.e. -0.015um) and DW is positive while at the slow corner DL is positive and DW is negative (i.e. -0.045um). The following table shows L and W of the transistors from the first stroke and the second stroke, and at slow, typical and fast corners to emulate manufacturing process tolerances.

Kết quả (Việt) 1:

Xem xét một ví dụ nơi DL là 0.015um và DW là 0.045um. Để mô phỏng một bóng bán dẫn "nhanh" góc, transistor mô hình có một L hẹp hơn và rộng hơn W. Ngược lại, một bóng bán dẫn "chậm" góc được mô phỏng với một L rộng hơn và Hence W. nhỏ, góc nhanh chóng DL là âm tính (tức là - 0.015um) và DW là tích cực trong khi ở góc chậm DL là tích cực và DW là tiêu cực (tức là - 0.045um). Bảng sau hiển thị L và W của transistor từ đột quỵ lần đầu và đột quỵ thứ hai, và ở góc chậm, điển hình và nhanh chóng để mô phỏng các quá trình sản xuất dung sai.

Kết quả (Việt) 2:

Xét một ví dụ nơi DL là 0.015um và DW là 0.045um. Để mô phỏng một "nhanh" transistor góc, các bóng bán dẫn được mô hình hóa để có một L hẹp hơn và rộng hơn W. Ngược lại, một "chậm" transistor góc được mô phỏng với một L rộng hơn và một W. nhỏ Do đó, ở góc nhanh DL là âm (tức là -0.015um) và DW là tích cực trong khi ở góc DL chậm là tích cực và DW là âm (tức là -0.045um). Bảng sau đây cho thấy L và W của các bóng bán dẫn từ đột quỵ đầu tiên và đột quỵ thứ hai, và ở góc chậm, điển hình và nhanh chóng để thi đua sản xuất dung sai quy trình.