Fig. 1.1 Simplified view of a FET s

Fig. 1.1 Simplified view of a FET showing the depletion region and the three contacts source s, gate g and the drain d. n+ regions are doped beneath the source and drain.

Kết quả (Việt) 1:

Hình 1.1 giản xem của một FET Hiển thị vùng sự suy giảm và các số liên lạc ba nguồn s, cổng g và cống mất n + vùng doped dưới nguồn và cống.

Kết quả (Việt) 2:

Sung. 1.1 điểm đơn giản của một FET cho thấy sự suy giảm khu vực và ba danh bạ nguồn s, cổng g và cống d. n + vùng được kích thích bên dưới là nguồn và cống.