A deeper understanding of this can

A deeper understanding of this can be gained from Fig. 8.2, which depicts part of a calculated band structure for silicon. Consider at first that electrons are “filled” into these bands like water being poured into a vessel. Then, of course, the lowest s-state will be occupied first. Since no energy gap exists between the top of the s-state and the next higher p-state, additional electrons will immediately start to occupy the p-states. This process pro- ceeds until all three lower p-states are filled. All of the 4Na electrons of the semiconductor are accommodated now. Note that no higher energy band touches the p-states of the valence band. Thus, an energy gap exists between the filled valence and the empty conduction band. (As was shown in Fig. 5.23, the bands in different directions in k-space usually have different shapes so that a complete assessment can only be made by inspecting the entire band structure.)

Kết quả (Việt) 1:

Một sự hiểu biết sâu sắc hơn về điều này có thể được thu được từ hình 8.2, trong đó mô tả một phần của một cấu trúc tính toán cho silic. Xem xét ban đầu rằng điện tử được "điền" vào các ban nhạc như nước được đổ vào một tàu. Sau đó, tất nhiên, s-bang thấp nhất sẽ được chiếm đóng đầu tiên. Kể từ khi không có khoảng cách năng lượng tồn tại giữa phía trên cùng của s-nhà nước và cao tiếp theo p-nhà nước, điện tử bổ sung sẽ ngay lập tức bắt đầu chiếm p-kỳ. Này quá trình pro-ceeds cho đến khi tất cả ba thấp hơn p-kỳ được làm đầy. Tất cả các điện tử 4Na của chất bán dẫn được chỗ bây giờ. Lưu ý rằng không có ban nhạc năng lượng cao chạm kỳ p của ban nhạc hóa trị. Do đó, một khoảng cách của năng lượng tồn tại giữa hóa trị đầy và ban nhạc dẫn sản phẩm nào. (Như được minh hoạ trong hình 5.23, ban nhạc hướng khác nhau trong k-không gian thường có hình dạng khác nhau để một đánh giá đầy đủ chỉ có thể được thực hiện bằng cách kiểm tra cấu trúc toàn bộ ban nhạc.)

Kết quả (Việt) 2:

Một sự hiểu biết sâu sắc hơn về điều này có thể được thu được từ hình. 8.2, trong đó mô tả một phần của một cấu trúc ban nhạc tính toán cho silicon. Hãy xem xét lúc đầu tiên mà các electron được "điền" vào các ban nhạc như nước được đổ vào một tàu. Sau đó, tất nhiên, s-nhà nước thấp nhất sẽ được chiếm đóng đầu tiên. Vì không có khe năng lượng tồn tại giữa phía trên cùng của s-nhà nước và p-nhà nước cao hơn kế tiếp, các electron bổ sung sẽ ngay lập tức bắt đầu để chiếm p-tiểu bang. Ceeds quá trình này trình cho đến khi tất cả ba thấp hơn p-tiểu bang được lấp đầy. Tất cả các electron 4Na của chất bán dẫn được cung bây giờ. Lưu ý rằng không có ban nhạc năng lượng cao hơn chạm vào p-bang của vùng hóa trị. Do đó, một khoảng cách năng lượng tồn tại giữa hóa trị làm đầy và vùng dẫn trống. (Như đã thể hiện trong hình 5.23., Các ban nhạc theo những hướng khác nhau trong k-không gian thường có hình dạng khác nhau để đánh giá hoàn toàn chỉ có thể được thực hiện bằng cách kiểm tra toàn bộ cấu trúc ban nhạc.)