GREENTECH APPLICATION 1 ◆ 25After t

GREENTECH APPLICATION 1 ◆ 25
After the contacts are incorporated, an antireflective coating is placed on top the contact grid and n region, as shown in Figure GA1–1(c). This allows the solar cell to absorb as much of the sun’s energy as possible by reducing the amount of light energy reflected away from the surface of the cell. Finally, a glass or transparent plastic layer is attached to the top of the cell with transparent adhesive to protect it from the weather. Figure GA1–2 shows a completed solar cell. Operation of a Solar Cell As indicated before, sunlight is composed of photons, or “packets” of energy. The sun produces an astounding amount of energy. The small fraction of the sun’s total energy that reaches the earth is enough to meet all of our power needs many times over. There is sufficient solar energy striking the earth each hour to meet worldwide demands for an entire year. The n-type layer is very thin compared to the p region to allow light penetration into the p region. The thickness of the entire cell is actually about the thickness of an eggshell. When a photon penetrates either the n region or the p-type region and strikes a silicon atom near the pn junction with sufficient energy to knock an electron out of the valence band, the electron becomes a free electron and leaves a hole in the valence band, creating an electron-hole pair. The amount of energy required to free an electron from the valence band of a silicon atom is called the band-gap energy and is 1.12 eV (electron volts). In the p region, the free electron is swept across the depletion region by the electric field into the n region. In the n region, the hole is swept across the depletion region by the electric field into the p region. Electrons accumulate in the n region, creating a negative charge; and holes accumulate in the p region, creating a positive charge. A voltage is developed between the n region and p region contacts, as shown in Figure GA1–3.
 FIGURE GA1–2 A complete PV solar cell.
When a load is connected to a solar cell via the top and bottom contacts, the free electrons flow out of the n region to the grid contacts on the top surface, through the negative contact, through the load and back into the positive contact on the bottom surface, and into the p region where they can recombine with holes. The sunlight energy continues to create new electron-hole pairs and the process goes on, as illustrated in Figure GA1–4

Kết quả (Việt) 1:

GREENTECH ỨNG DỤNG 1 ◆ 25Sau khi các số liên lạc được tích hợp, một lớp antireflective được đặt trên đỉnh lưới liên lạc và khu vực n, như minh hoạ trong hình GA1–1(c). Điều này cho phép các tế bào năng lượng mặt trời để hấp thụ của năng lượng mặt trời càng nhiều càng tốt bằng cách giảm số lượng năng lượng ánh sáng được phản ánh từ bề mặt của tế bào. Cuối cùng, thủy tinh hoặc lớp nhựa trong suốt được gắn vào phía trên của các tế bào với chất kết dính trong suốt để bảo vệ nó từ thời tiết. Hình GA1-2 cho thấy một tế bào năng lượng mặt trời đã hoàn thành. Hoạt động của một tế bào năng lượng mặt trời là chỉ báo trước đó, ánh sáng mặt trời bao gồm photon, hoặc "gói" năng lượng. Mặt trời sản xuất một số lượng đáng kinh ngạc của năng lượng. Phần nhỏ của năng lượng mặt trời tất cả đạt đến trái đất là đủ để đáp ứng tất cả nhu cầu năng lượng của chúng tôi nhiều lần hơn. Chúng ta có đủ năng lượng mặt trời tấn công trái đất mỗi giờ để đáp ứng các nhu cầu trên toàn thế giới cho cả năm. Lớp n-type là rất mỏng so với miền p để cho phép ánh sáng xuyên vào vùng p. Độ dày của các tế bào toàn bộ thực sự là về độ dày của một vỏ. Khi một photon thâm nhập vào miền n hoặc vùng kiểu p và tấn công một nguyên tử silic gần giao lộ pn với đủ năng lượng để gõ một electron khỏi ban nhạc valence, electron sẽ trở thành một điện tử miễn phí và để lại một lỗ hổng trong các ban nhạc valence, tạo ra một cặp electron-lỗ. Số lượng năng lượng cần thiết để giải phóng một electron từ ban nhạc hóa trị của nguyên tử silicon được gọi là năng lượng khoảng cách ban nhạc và là 1.12 eV (electron volt). Ở vùng p, điện tử miễn phí xuôi khắp vùng sự suy giảm của điện trường vào khu vực n. Tại khu vực n, lỗ xuôi khắp vùng sự suy giảm của điện trường vào vùng p. Điện tử tích lũy ở vùng n, tạo ra một điện tích âm; và lỗ tích lũy ở vùng p, việc tạo ra một khoản phí tích cực. Một điện áp được phát triển giữa các vùng n và p vùng địa chỉ liên lạc, như minh hoạ trong hình GA1-3. FIGURE GA1–2 A complete PV solar cell.When a load is connected to a solar cell via the top and bottom contacts, the free electrons flow out of the n region to the grid contacts on the top surface, through the negative contact, through the load and back into the positive contact on the bottom surface, and into the p region where they can recombine with holes. The sunlight energy continues to create new electron-hole pairs and the process goes on, as illustrated in Figure GA1–4

Kết quả (Việt) 2:

Greentech ÁP DỤNG 1 ◆ 25
Sau khi liên lạc được kết hợp, một lớp phủ antireflective được đặt trên lưới điện và n khu vực tiếp xúc, như thể hiện trong hình GA1-1 (c). Điều này cho phép các tế bào năng lượng mặt trời để hấp thụ càng nhiều năng lượng của mặt trời càng tốt bằng cách giảm lượng năng lượng ánh sáng phản xạ khỏi bề mặt của tế bào. Cuối cùng, một ly hoặc lớp nhựa trong suốt được gắn vào đầu của tế bào với chất kết dính trong suốt để bảo vệ nó từ thời tiết. Hình GA1-2 thấy một tế bào năng lượng mặt trời hoàn thành. Hoạt động của một tế bào năng lượng mặt trời Như đã nêu trước đó, ánh sáng mặt trời là sáng tác của photon, hay "gói" của năng lượng. Mặt trời tạo ra lượng đáng kinh ngạc của năng lượng. Các phần nhỏ trong tổng số năng lượng của mặt trời đạt đến trái đất là đủ để đáp ứng tất cả các quyền lực của chúng tôi cần nhiều thời gian hơn. Có đủ năng lượng mặt trời đập trái đất mỗi giờ để đáp ứng nhu cầu trên toàn thế giới trong cả một năm. Các lớp n-type là rất mỏng so với khu vực p cho thấm vào ánh sáng vào khu vực p. Độ dày của toàn bộ tế bào thực sự là về độ dày của vỏ trứng. Khi một photon thâm nhập vào một trong hai khu vực n hoặc khu vực p-type và tấn công một nguyên tử silicon gần đường giao nhau pn có đủ năng lượng để gõ một electron ra khỏi vùng hóa trị, các electron sẽ trở thành một electron tự do và để lại một lỗ trong vùng hóa trị , tạo ra một cặp electron-lỗ. Lượng năng lượng cần thiết để giải phóng một electron từ vùng hóa trị của một nguyên tử silicon được gọi là năng lượng band-gap và là 1,12 eV (electron-volt). Trong khu vực p, electron tự do được quét qua khu vực cạn kiệt bởi điện trường vào khu vực n. Tại khu vực n, các lỗ được quét qua khu vực cạn kiệt bởi điện trường vào khu vực p. Electron tích lũy ở vùng n, tạo ra một điện tích âm; và lỗ tích lũy trong khu vực p, tạo ra một điện tích dương. Một điện áp được phát triển giữa các vùng n và p khu vực địa chỉ liên lạc, như thể hiện trong hình GA1-3.
? Hình GA1-2 Một tế bào năng lượng mặt trời hoàn PV.
Khi một tải được kết nối với một tế bào năng lượng mặt trời thông qua các địa chỉ liên lạc trên và dưới, các electron tự do chảy ra khỏi khu vực n để liên lạc lưới trên bề mặt, qua sự tiếp xúc tiêu cực, thông qua tải và quay trở lại tiếp xúc tích cực trên bề mặt đáy, và vào khu vực p nơi họ có thể tái hợp với lỗ. Năng lượng ánh sáng mặt trời tiếp tục tạo ra các cặp electron-lỗ trống mới và quá trình đi vào, như minh họa trong hình GA1-4