Double-diffused processDouble diffu

Double-diffused process
Double diffusion requires deep diffusions of the P+ and N+
regions into a slice of lightly doped silicon, to produce the
required base width. This method is fraught with tolerance
problems, resulting in poor control of the base region. The
junction transitions are also very gentle, producing a poor
carrier injection efficiency. The combination of the two

Kết quả (Việt) 1:

Quá trình khuếch tán đôiĐôi khuếch tán đòi hỏi sâu diffusions P + và N +khu vực thành một lát nhẹ sườn Silicon, để sản xuất cácyêu cầu cơ sở rộng. Phương pháp này là đầy với lòng khoan dungvấn đề, kết quả là người nghèo quyền kiểm soát vùng cơ sở. Cácquá trình chuyển đổi giao lộ là cũng rất nhẹ nhàng, sản xuất một người nghèotàu sân bay tiêm hiệu quả. Sự kết hợp của hai

Kết quả (Việt) 2:

Double-khuếch tán quá trình
khuếch tán kép đòi hỏi diffusions sâu của P + N + và
khu vực vào một miếng silicon pha tạp nhẹ, để tạo ra
chiều rộng cơ sở yêu cầu. Phương pháp này là đầy khoan dung
vấn đề, ​​kết quả kiểm soát kém của khu vực cơ sở. Các
quá trình chuyển đổi ngã ba cũng rất nhẹ nhàng, sản xuất một người nghèo
hiệu quả tiêm tàu sân bay. Sự kết hợp của hai