abstractCdTe is the best suited sem

abstract
CdTe is the best suited semiconductor for solar cells due to its band gap value 1.47 eV which is close to solar spectrum, low sublimation temperature and high absorption coefficient in the range of solar spectrum.Toimprove the photovoltaic performance of CdS/CdTe thin film solar cells, the CdS window layer is alloyedwith different concentration of ZnS to reduce the resistivity and increase the band gap values. The singlecrystal CdTe based solar cell devices were prepared by vacuum evaporation method and have undergonefor different temperature at various illumination levels to enhance the cell efficiency. We have achieved 14.37% efficiency and increased short circuit current density and open circuit voltage by reducing series
resistance of the cell.
© 2015 Published by Elsevier Ltd.
This is an open access article under the CC BY-NC-ND license
(http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/).

Kết quả (Việt) 1:

tóm tắtCdTe là bán dẫn phù hợp tốt nhất cho các tế bào năng lượng mặt trời do ban nhạc khoảng cách của nó có giá trị 1,47 eV mà là gần gũi với quang phổ năng lượng mặt trời, nhiệt độ thấp thăng hoa và hệ số hấp thụ cao trong phạm vi của quang phổ năng lượng mặt trời.Toimprove hiệu suất quang điện của đĩa CD/CdTe phim mỏng tế bào năng lượng mặt trời, các đĩa CD cửa sổ lớp là alloyedwith khác nhau tập trung của ZnS để làm giảm điện trở suất và làm tăng giá trị khoảng cách của ban nhạc. Singlecrystal CdTe dựa trên tế bào năng lượng mặt trời thiết bị đã được chuẩn bị bởi phương pháp hơi nước chân không và có undergonefor nhiệt độ khác nhau ở các cấp độ chiếu sáng để nâng cao hiệu quả của tế bào. Chúng tôi đã đạt được 14.37% hiệu quả và tăng ngắn mạch hiện tại mật độ và điện áp mạch mở bằng cách giảm loạtkháng chiến của các tế bào.© 2015 xuất bản Elsevier Ltd.Đây là một bài viết mở truy cập theo giấy phép CC BY-NC-ND(http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/).

Kết quả (Việt) 2:

trừu tượng
CdTe là các chất bán dẫn phù hợp nhất cho các tế bào năng lượng mặt trời do giá trị ban nhạc khoảng cách của nó 1,47 eV mà gần quang phổ mặt trời, nhiệt độ thăng hoa thấp và hệ số hấp thụ cao trong khoảng spectrum.Toimprove năng lượng mặt trời hiệu suất quang điện của CdS / CdTe mặt trời màng mỏng các tế bào, các lớp cửa sổ CdS là alloyedwith nồng độ khác nhau của ZnS để giảm điện trở suất và tăng giá trị ban nhạc khoảng cách. Các thiết bị di động năng lượng mặt trời CdTe singlecrystal dựa đã được chuẩn bị bằng phương pháp chân không bay hơi và có undergonefor nhiệt độ khác nhau ở mức độ chiếu sáng khác nhau để nâng cao hiệu suất pin. Chúng tôi đã đạt được 14,37% và tăng hiệu quả ngắn mạch mật độ dòng điện và điện áp hở mạch bằng cách giảm loạt
kháng của tế bào.
© 2015 đăng bởi Elsevier Ltd.
Đây là một bài báo truy cập mở theo CC BY-NC-ND giấy phép
(http: / /creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/).