Applications and examples[edit]For

Applications and examples[edit]
For the use in differential geometry, see Cesàro equation.
For the radius of curvature of the earth (approximated by an oblate ellipsoid), see Radius of curvature of the earth.
Radius of curvature is also used in a three part equation for bending of beams.



Radius of curvature applied to measurements of the stress in the semiconductor structures[edit]
Stress in the semiconductor structure involving evaporated thin films usually results from the thermal expansion (thermal stress) during the manufacturing process. Thermal stress occurs because film depositions are usually made above room temperature. Upon cooling from the deposition temperature to room temperature, the difference in the thermal expansion coefficients of the substrate and the film cause thermal stress.[1]

Intrinsic stress results from the microstructure created in the film as atoms are deposited on the substrate. Tensile stress results from microvoids in the thin film, because of the attractive interaction of atoms across the voids.

The stress in thin film semiconductor structures results in the buckling of the wafers. The radius of the curvature of the stressed structure is related to stress tensor in the structure, and can be described by modified Stoney formula.[2] The topography of the stressed structure including radii of curvature can be measured using optical scanner methods. The modern scanner tools have capability to measure full topography of the substrate and to measure both principal radii of curvature, while providing the accuracy of the order of 0.1% for radii of curvature of 90 m and more.[3]

Kết quả (Việt) 1:

Ứng dụng và các ví dụ [sửa]Để sử dụng trong hình học vi phân, hãy xem phương trình Cesàro.Để bán kính của suất cong của trái đất (xấp xỉ bởi một ellipsoid dẹt), hãy xem các bán kính của suất cong của trái đất.Bán kính của suất cong cũng được sử dụng trong phương trình ba phần uốn của dầm.Bán kính của suất cong áp dụng cho các phép đo của sự căng thẳng trong các cấu trúc bán dẫn [sửa]Căng thẳng trong bán dẫn cấu trúc liên quan đến bốc hơi mỏng phim thường kết quả từ nhiệt mở rộng (căng thẳng nhiệt) trong quá trình sản xuất. Căng thẳng nhiệt xảy ra bởi vì bộ phim depositions thường được thực hiện trên nhiệt độ phòng. Sau khi làm mát từ nhiệt độ lắng đọng đến nhiệt độ phòng, sự khác biệt trong hệ số mở rộng nhiệt bề mặt cùng bộ phim gây ra căng thẳng nhiệt. [1]Nội tại căng thẳng là kết quả của microstructure tạo ra trong phim như nguyên tử được lắng đọng trên bề mặt. Độ bền kéo căng thẳng kết quả từ microvoids trong bộ phim mỏng, vì sự tương tác hấp dẫn của các nguyên tử qua các khoảng trống.Sự căng thẳng trong màng mỏng bán dẫn cấu trúc kết quả trong sự oằn các tấm. Bán kính của suất cong của cấu trúc nhấn mạnh liên quan đến căng thẳng tensor trong cấu trúc, và có thể được mô tả bởi công thức Stoney lần. [2] địa hình của cấu trúc nhấn mạnh bao gồm bán kính của suất cong có thể được đo bằng cách sử dụng máy quét quang học phương pháp. Các công cụ hiện đại máy quét có khả năng để đo lường các địa hình đầy đủ của bề mặt và để đo cả hai bán kính chính của suất cong, trong khi cung cấp độ chính xác of the Order of 0,1% cho các bán kính của suất cong 90 m và nhiều hơn nữa. [3]

Kết quả (Việt) 2:

Các ứng dụng và các ví dụ [sửa]
Đối với việc sử dụng trong hình học vi phân, xem Cesàro phương trình.
Đối với bán kính cong của trái đất (xấp xỉ bằng một ellipsoid dẹt), thấy bán kính cong của trái đất.
Bán kính cong cũng được sử dụng trong một ba phần phương trình uốn của dầm. Bán kính cong áp dụng cho các phép đo của sự căng thẳng trong các cấu trúc bán dẫn [sửa] Căng thẳng trong cấu trúc bán dẫn liên quan đến bốc hơi màng mỏng thường là kết quả từ việc mở rộng nhiệt (ứng suất nhiệt) trong quá trình sản xuất. Ứng suất nhiệt xảy ra vì depositions phim thường được thực hiện ở trên nhiệt độ phòng. Sau khi làm lạnh từ nhiệt độ lắng đọng để nhiệt độ phòng, sự khác biệt trong các hệ số giãn nở nhiệt của chất nền và bộ phim gây ra ứng suất nhiệt. [1] kết quả căng thẳng nội tại từ các vi cấu tạo trong các bộ phim như các nguyên tử được lắng đọng trên bề mặt. Ứng suất kéo kết quả từ microvoids trong phim mỏng, vì sự tương tác hấp dẫn của các nguyên tử trên các khoảng trống. Sự căng thẳng trong cấu trúc màng bán dẫn mỏng kết quả trong oằn của tấm wafer. Bán kính của độ cong của cấu trúc nhấn mạnh là có liên quan đến căng thẳng tensor trong cơ cấu, và có thể được mô tả bởi công thức Stoney sửa đổi. [2] Địa hình của cấu trúc nhấn mạnh bao gồm cả bán kính cong có thể được đo bằng cách sử dụng phương pháp quét quang học. Các công cụ máy quét hiện đại có khả năng để đo địa hình đầy đủ của chất nền và để đo cả hai bán kính chính của độ cong, trong khi cung cấp độ chính xác của thứ tự là 0,1% đối với bán kính cong của 90 m và nhiều hơn nữa. [3]