• Memory cycle time: This concept i

• Memory cycle time: This concept is primarily applied to random-access memory
and consists of the access time plus any additional time required before a second
access can commence. This additional time may be required for transients to die
out on signal lines or to regenerate data if they are read destructively. Note that
memory cycle time is concerned with the system bus, not the processor.
• Transfer rate: This is the rate at which data can be transferred into or out of a
memory unit. For random-access memory, it is equal to 1/(cycle time).
For non-random-access memory, the following relationship holds:
Tn = TA +
n
R
(4.1)
where
Tn = Average time to read or write n bits
TA = Average access time
n = Number of bits
R = Transfer rate, in bits per second (bps)
A variety of physical types of memory have been employed. The most common
today are semiconductor memory, magnetic surface memory, used for disk and
tape, and optical and magneto-optical.

Kết quả (Việt) 1:

• Bộ nhớ thời gian chu kỳ: khái niệm này chủ yếu được áp dụng đến random - access nhớvà bao gồm thời gian truy cập cộng với bất kỳ thời gian bổ sung cần thiết trước khi một lần thứ haitruy cập có thể bắt đầu. Thời gian bổ sung này có thể được yêu cầu cho tạm để chếtra vào tín hiệu dòng hoặc để tái tạo dữ liệu nếu họ đang đọc destructively. Lưu ý rằngnhớ thời gian chu kỳ là có liên quan với hệ thống bus, không phải là bộ vi xử lý.• Tốc độ truyền: đây là tỷ lệ mà tại đó dữ liệu có thể được chuyển vào hoặc ra khỏi mộtCác đơn vị bộ nhớ. Đối với bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên, nó là tương đương với 1 /(cycle time).Đối với phòng không-ngẫu nhiên-bộ nhớ truy cập, các mối quan hệ sau nắm giữ:TN = TA +nR(4.1)nơiTN = thời gian trung bình để đọc hoặc viết n bitTA = thời gian trung bình truy cậpn = số bitR = tốc độ truyền, bit trên giây (bps)Một loạt các loại vật lý bộ nhớ đã được làm việc. Phổ biến nhấthôm nay có bộ nhớ bán dẫn, bộ nhớ từ bề mặt, được sử dụng cho đĩa vàbăng, và quang học và quang magneto.

Kết quả (Việt) 2:

• Thời gian chu kỳ bộ nhớ: Khái niệm này chủ yếu được áp dụng cho bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên
và bao gồm thời gian truy cập cộng với bất kỳ thời gian bổ sung cần thiết trước khi một giây
truy cập có thể bắt đầu. Thời gian bổ sung này có thể được yêu cầu cho quá độ chết
trên đường tín hiệu hoặc để tái tạo dữ liệu nếu chúng được đọc triệt tiêu. Lưu ý rằng
thời gian chu kỳ bộ nhớ là có liên quan với hệ thống xe buýt, không phải là bộ xử lý.
• Tốc độ truyền: Đây là tỷ lệ mà tại đó dữ liệu có thể được chuyển vào hoặc ra khỏi một
đơn vị bộ nhớ. . Đối với bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên, nó là bằng 1 / (thời gian chu kỳ)
cho bộ nhớ không truy cập ngẫu nhiên, mối quan hệ sau giữ:
Tn = TA +
n
R
(4.1)
nơi
Tn = Thời gian trung bình để đọc hoặc viết n bit
TA = thời gian truy cập trung bình
n = số bit
tỷ lệ R = Transfer, trong bit mỗi giây (bps)
Một loạt các loại vật lý của bộ nhớ đã được sử dụng. Phổ biến nhất
hiện nay là bộ nhớ bán dẫn, bộ nhớ bề mặt từ tính, được sử dụng cho đĩa và
băng, và quang học và quang từ.