where fo is the resonant frequency

where fo is the resonant frequency of a microstrip antenna assuming a magnetic wall boundary condition, E, is the relative dielectric constant, Sf is the change in resonant frequency, and &E, is the change in relative dielectric constant. For example, if the operating frequency of the antenna is to be predicted to k0.5 percent using E, = 2.55, the required ac- curacy is &E, = 0.025. However a typical quoted dielectric constant accuracy for materials of this type is 8~, = k0.04. The relative frequency change for small dimensional changes may be expressed in terms of linear dimensions or in terms of temperature changes as follows:

Kết quả (Việt) 1:

trường hợp cho tần số cộng hưởng của một ăng-ten microstrip giả định một điều kiện ranh giới từ tường, E, là hằng số lưỡng điện tương đối, Sf là sự thay đổi trong tần số cộng hưởng, và & E, là sự thay đổi trong tương đối lưỡng điện hằng số. Thí duï, neáu tần số hoạt động của ăng-ten là để được dự đoán cho việc sử dụng phần trăm k0.5 E, = 2,55, ac-curacy yêu cầu là & E, = 0.025. Tuy nhiên một điển hình trích dẫn liên tục lưỡng điện chính xác cho các tài liệu của loại hình này là 8 ~, = k0.04. Thay đổi tần số tương đối nhỏ thay đổi chiều có thể được thể hiện trong điều khoản của các kích thước tuyến tính hoặc trong điều kiện nhiệt độ thay đổi như sau:

Kết quả (Việt) 2:

nơi fo là tần số cộng hưởng của một anten microstrip giả định một điều kiện biên bức tường từ, E, là hằng số điện môi tương đối, Sf là sự thay đổi tần số cộng hưởng, và & E, là sự thay đổi hằng số điện môi tương đối. Ví dụ, nếu tần số hoạt động của các ăng-ten là để được dự báo sẽ k0.5 phần trăm sử dụng E, = 2,55, yêu cầu họ nhánh do cha phó coi sóc ac- là & E, = 0,025. Tuy nhiên một trích dẫn chính xác hằng số điện môi đặc trưng cho vật liệu của loại này là 8 ~, = k0.04. Sự thay đổi tần số tương đối cho những thay đổi nhỏ chiều có thể được biểu hiện dưới các kích thước tuyến tính hoặc trong điều kiện thay đổi nhiệt độ như sau: