Typical semiconductor strain-gage u

Typical semiconductor strain-gage units
unbonded không liên kết
uniformly doped
diffused p-type gage
integrated pressure sensor
integrated cantilever-beam force sensor
From Transducers for Medical Measurements:
Application and Design
Reprinted by permission
These integrated devices can be constructed with either silicon or germanium p or n type as the substrate that forms the structural member. The opposite-type material is diffused into the substrate. Opposite signs for the gage factor result for n- and p-type substrate gages. A large gage factor can be attained with lightly doped material. Figure 2.4 shows typical semiconductor strain-gage units.

Kết quả (Việt) 1:

Điển hình bán dẫn căng thẳng-gage đơn vịunbonded không liên kếtthống nhất dopedkiểu p khuếch tán gagecảm biến áp suất tích hợpcantilever – chùm tích hợp lực lượng cảm biếnTừ cảm biến để đo lường y tế:Ứng dụng và thiết kếTái bản theo giấy phépNhững thiết bị tích hợp có thể được xây dựng với silic hoặc gecmani p hoặc n kiểu như bề mặt hình thành cơ cấu thành viên. Đối diện loại chất liệu khuếch tán vào bề mặt. Đối diện với các dấu hiệu cho kết quả yếu tố gage cho loại n và p bề mặt đo chiều. Một yếu tố lớn gage có thể đạt được với các vật liệu nhẹ sườn. Hình 2.4 hiện điển hình bán dẫn đơn vị chủng-gage.

Kết quả (Việt) 2:

Bán dẫn tiêu biểu đơn vị căng-gage
unbonded do not associated
pha tạp đều
khuếch tán loại p gage
cảm biến áp lực tích hợp
tích hợp đúc hẫng dầm cảm biến lực
Từ Transducers cho đo y tế:
ứng dụng và Thiết kế
In lại với sự cho phép
Các thiết bị này được tích hợp có thể được xây dựng với cả silic germanium p hoặc loại n như các chất nền hình thành các cấu trúc cứng. Các vật liệu đối diện-type được khuếch tán vào bề mặt. Dấu hiệu ngược lại cho các yếu tố gage dẫn cho các thiết bị đo bề n và loại p. Một yếu tố gage lớn có thể đạt được với chất liệu pha tạp nhẹ. Hình 2.4 cho thấy các đơn vị căng-gage bán dẫn điển hình.