When a temperature difference 1T is

When a temperature difference 1T is applied between the
top of the Pt film and the bottom of the GGG substrate, TE
conversion is induced by the following mechanism (Fig. 2c). First,
the temperature gradient drives a spin current density js at the
Pt/Bi:YIG interface perpendicular to the plane as a result of the
SSE (refs 20,21). In this process, the phonon energy distributing
over the GGG substrate is supposed to enhance the generation of
js through the phonon-drag process1416. Then, js is converted into
an electric field EISHE by means of the inverse spin-Hall effect (ISHE)
in the Pt (refs 2224)

Kết quả (Việt) 2:

Khi một sự khác biệt nhiệt độ 1T được áp dụng giữa các
đầu của bộ phim Pt và dưới cùng của đế GGG, TE
chuyển đổi được gây ra bởi các cơ chế sau đây (Hình. 2c). Đầu tiên,
gradient nhiệt độ ổ đĩa một dòng spin mật độ js tại
Pt / Bi: giao diện YIG vuông góc với mặt phẳng như một kết quả của
SSE (refs 20,21). Trong quá trình này, phân phối năng lượng phonon
trong chất nền GGG là vụ để tăng cường hệ của
js qua các phonon-kéo process14? 16. Sau đó, js được chuyển đổi thành
một điện trường EISHE bằng phương tiện của hiệu ứng ngược spin Hall (ISHE)
trong Pt (refs 22? 24)