In this work, we have presented a s

In this work, we have presented a self consistent calculation of the band edges as well as the elec- tron mobility for AlInN/AlN/GaN HEMTs. In the modeling, we have included the subband confinement effects. Drain current characteristics have also been computed from self-consistent solutions of Schrödinger and Poisson equations.

Kết quả (Việt) 1:

Trong tác phẩm này, chúng tôi đã trình bày một tính toán nhất quán tự cạnh ban nhạc cũng như di động elec-tron cho AlN-AlInN-GaN HEMTs. Trong mô hình, chúng tôi bao gồm hiệu ứng giam subband. Cống đặc điểm hiện tại cũng đã được tính toán từ các giải pháp tự phù hợp của phương trình Schrödinger và Poisson.

Kết quả (Việt) 2:

Trong tác phẩm này, chúng tôi đã trình bày một tự tính nhất quán của các cạnh ban nhạc cũng như sự di tron ​​bầu cử cho AlInN HEMTs / AlN / GaN. Trong mô hình, chúng tôi đã bao gồm các hiệu ứng băng con giam. Xả đặc điểm hiện tại cũng đã được tính toán từ các giải pháp tự phù hợp của phương trình Schrödinger và Poisson.