Molecular Beam Epitaxy (MBE)Relies

Molecular Beam Epitaxy (MBE)
Relies on the sublimation of ultrapure elements, then condensation of them on wafer
In a vacuum chamber (pressure: ~10-11 Torr).
“Beam”: molecules do not collide to either chamber walls or existent gas atoms.
Growth rate: 1µm/hr.

Kết quả (Việt) 1:

Epitaxy chùm phân tử (MBE)Dựa trên thăng hoa ultrapure yếu tố, sau đó sự ngưng tụ của họ trên bánh waferTrong một buồng chân không (áp lực: ~ 10-11 Torr). "Beam": phân tử không va chạm với bức tường phòng hoặc nguyên tử tồn tại khí.Tốc độ tăng trưởng: 1µm/hr.

Kết quả (Việt) 2:

Epitaxy chùm phân tử (MBE)
Dựa vào sự thăng hoa của các nguyên tố siêu sạch, sau đó ngưng tụ của họ trên wafer
Trong một buồng chân không (áp: ~ 10-11 Torr).
"Beam": các phân tử không va chạm với một trong hai bức tường ngăn hoặc nguyên tử khí tồn tại .
Tốc độ tăng trưởng: 1μm / hr.