1.1 Bipolar TechnologyThe fabricati

1.1 Bipolar Technology
The fabrication of a bipolar junction transistor BJT has evolved from the using conventional junction isolation process to high performance advanced sub¬micron design using double poly self assigned process to ultra high performance SiGe alloy heterojunction bipolar transistor etc. The technologies involve in designing the BJT has also evolved from the conventional design using silicon semiconductor to advanced materials such as gallium arsenide compound semiconductor, and SiGe alloy semiconductor materials.
In this section, one will study the physics underlying how these transistors are designed and implemented in fabrication. The learner will also how to strike a balance to decide how the design can be optimized and at the same time learn how the limitation of each design type can be overcome by implementing new design using different semiconductor material and technology.

Kết quả (Việt) 1:

1.1 lưỡng cực công nghệ
chế tạo một bóng bán dẫn lưỡng cực giao lộ BJT đã phát triển từ việc sử dụng thông thường giao lộ cô lập trình cho hiệu suất cao nâng cao sub¬micron thiết kế bằng cách sử dụng đôi nhiều tự gán quá trình cho hiệu suất cao siêu SiGe hợp kim heterojunction bán dẫn lưỡng cực vv. Các công nghệ liên quan đến việc thiết kế BJT cũng đã phát triển từ thiết kế thông thường sử dụng chất bán dẫn silicon để các vật liệu tiên tiến như chất bán dẫn hợp chất asenua Gali, và SiGe hợp kim bán dẫn vật liệu.
trong phần này, một sẽ nghiên cứu vật lý cơ bản như thế nào các bóng bán dẫn được thiết kế và thực hiện trong sản xuất. Người học cũng sẽ làm thế nào để tấn công một sự cân bằng để quyết định cách thiết kế có thể được tối ưu hóa và đồng thời tìm hiểu làm thế nào các giới hạn của mỗi loại thiết kế có thể được khắc phục bằng cách thực hiện thiết kế mới sử dụng vật liệu bán dẫn khác nhau và công nghệ.

Kết quả (Việt) 2:

1.1 Công nghệ lưỡng cực
Các chế tạo của một ngã ba lưỡng cực transistor BJT đã phát triển từ quá trình sử dụng cách ly ngã ba thông thường hiệu suất cao tiên tiến thiết kế phụ ¬ micron sử dụng đôi nhiều quá trình tự gán cho siêu hiệu suất cao hợp kim SiGe dị lưỡng cực bóng bán dẫn, vv Các công nghệ liên quan đến thiết kế BJT cũng đã phát triển từ các thiết kế thông thường sử dụng chất bán dẫn silicon để vật liệu tiên tiến như gallium arsenide hợp chất bán dẫn và vật liệu hợp kim SiGe bán dẫn.
Trong phần này, ta sẽ nghiên cứu vật lý cơ bản như thế nào các bóng bán dẫn được thiết kế và thực hiện trong chế tạo. Người học cũng sẽ làm thế nào để cân bằng để quyết định cách thiết kế có thể được tối ưu hóa và đồng thời học cách giới hạn của từng loại thiết kế có thể được khắc phục bằng cách thực hiện thiết kế mới sử dụng vật liệu bán dẫn khác nhau và công nghệ.