First Stroke. The basic transistor

First Stroke. The basic transistor layout
The basic transistor layout as illustrated has a channel length (L) of 0.2um and a channel width (W) of 20um. The source diffusion and the drain diffusion should be filled with the maximum number of contacts to reduce the resistance of the connection from the metal to the diffusion, and to maximize the amount of current that can flow through the contacts.
Bulk Connection

The substrate and the N-well are doped lightly. A direct connection from the metal routing layer to the bulk is not allowed. The connection should be made through a higher doped diffusion such as the p-diffusion and the n-diffusion in order to establish a good contact. In some fabrication process, two additional layers are used for these connections. These layers have much higher doping than the diffusions for the source and the drain.

Kết quả (Việt) 1:

Đột quỵ lần đầu. Việc bố trí cơ bản transistor Việc bố trí cơ bản transistor như minh họa có chiều dài kênh (L) của 0.2um và chiều rộng kênh (W) 20um. Sự khuếch tán nguồn và khuếch tán cống nên được lấp đầy với số lượng tối đa của địa chỉ liên lạc để giảm sức đề kháng của kết nối từ kim loại với sự khuếch tán, và để tối đa hóa số lượng hiện tại có thể lưu thông qua các số liên lạc.Kết nối với số lượng lớn Bề mặt và N-cũng được doped nhẹ. Kết nối trực tiếp từ các lớp định tuyến bằng kim loại với số lượng lớn không được phép. Kết nối phải được thực hiện thông qua một khuếch tán sườn cao như sự khuếch tán p và n phổ biến để tạo ra một liên hệ tốt. Trong một số quá trình sản xuất, hai lớp bổ sung được sử dụng cho các kết nối này. Các lớp có nhiều doping cao hơn diffusions cho mã nguồn và cống.

Kết quả (Việt) 2:

Đột quỵ đầu tiên. Việc bố trí các bóng bán dẫn cơ bản
bố trí bóng bán dẫn cơ bản như minh họa có chiều dài kênh (L) của 0.2um và chiều rộng kênh (W) của 20um. Sự khuếch tán nguồn và khuếch tán cống cần được lấp đầy với các số liên hệ tối đa để giảm sức đề kháng của các kết nối từ kim loại đến sự khuếch tán, và để tối đa hóa số lượng hiện nay có thể chảy qua các địa chỉ liên lạc.
Kết nối hàng loạt

các chất nền và N-cũng được kích thích nhẹ. Một kết nối trực tiếp từ các lớp kim loại định tuyến với số lượng lớn là không được phép. Các kết nối cần được thực hiện thông qua một sự khuếch tán pha tạp cao như p-khuếch tán và n-khuếch tán để thành lập một liên lạc tốt. Trong một số quá trình chế tạo, hai lớp bổ sung được sử dụng cho những kết nối này. Những lớp này có doping cao hơn nhiều so với sự khuếch tán cho nguồn và cống.