§ 1.3 Semiconductor Materials4. In

§ 1.3 Semiconductor Materials
4. In your own words, define semiconductor, resistivity, bulk resistance, and ohmic contact resistance. 5. (a) Using Table 1.1, determine the resistance of a silicon sample having an area of 1 cm2 and a length of 3 cm. (b) Repeat part (a) if the length is 1 cm and the area 4 cm2. (c) Repeat part (a) if the length is 8 cm and the area 0.5 cm2.
(d) Repeat part (a) for copper and compare the results.
6. Sketch the atomic structure of copper and discuss why it is a good conductor and how its structure is different from germanium and silicon.
7. In your own words, define an intrinsic material, a negative temperature coefficient, and cova- lent bonding.
8. Consult your reference library and list three materials that have a negative temperature coefficient and three that have a positive temperature coefficient.
§ 1.4 Energy Levels
9. How much energy in joules is required to move a charge of 6 C through a difference in potential of 3 V?
10. If 48 eV of energy is required to move a charge through a potential difference of 12 V, determine the charge involved. 11. Consult your reference library and determine the level of Eg for GaP and ZnS, two semiconductor materials of practical value. In addition, determine the written name for each material.
§ 1.5 Extrinsic Materials—n- and p-Type
12. Describe the difference between n-type and p-type semiconductor materials.
13. Describe the difference between donor and acceptor impurities.
14. Describe the difference between majority and minority carriers.
15. Sketch the atomic structure of silicon and insert an impurity of arsenic as demonstrated for silicon in Fig. 1.9.
16. Repeat Problem 15 but insert an impurity of indium.
17. Consult your reference library and find another explanation of hole versus electron flow. Using both descriptions, describe in your own words the process of hole conduction.
§ 1.6 Semiconductor Diode
18. Describe in your own words the conditions established by forward- and reverse-bias conditions on a p-n junction diode and how the resulting current is affected.
19. Describe how you will remember the forward- and reverse-bias states of the p-n junction diode. That is, how you will remember which potential (positive or negative) is applied to which terminal? 20. Using Eq. (1.4), determine the diode current at 20°C for a silicon diode with Is 50 nA and an applied forward bias of 0.6 V.

Kết quả (Việt) 2:

§ 1.3 Vật liệu bán dẫn
4. Nói cách riêng của bạn, xác định các chất bán dẫn, điện trở, điện trở lớn, và điện trở tiếp xúc ohmic. 5. (a) Sử dụng Bảng 1.1, xác định điện trở của một mẫu silicon có diện tích 1 cm2 và chiều dài 3 cm. (b) Lặp lại một phần (a) nếu chiều dài là 1 cm và diện tích 4 cm2. (c) Lặp lại một phần (a) nếu chiều dài là 8 cm và diện tích 0,5 cm2.
(d) Lặp lại một phần (a) đồng và so sánh kết quả.
6. Vẽ phác thảo cấu trúc nguyên tử của đồng và thảo luận về lý do tại sao nó là một dây dẫn tốt và cách cấu trúc của nó là khác nhau từ germanium và silicon.
7. Nói cách riêng của bạn, xác định một vật liệu nội tại, hệ số nhiệt độ âm, và cova- liên kết cho vay.
8. Tham khảo ý kiến thư viện tham khảo và danh sách ba tài liệu của bạn có một hệ số nhiệt độ âm và ba có một hệ số nhiệt độ dương.
§ Levels 1.4 Năng lượng
9. Bao nhiêu năng lượng trong joules là cần thiết để di chuyển một khoản phí là 6 C thông qua một sự khác biệt trong khả năng của 3 V?
10. Nếu 48 eV năng lượng là cần thiết để di chuyển một khoản phí thông qua một sự khác biệt tiềm năng của 12 V, xác định trách nhiệm liên quan. 11. Tham khảo ý kiến thư viện tham khảo của bạn và xác định mức độ Eg cho Gap và ZnS, hai vật liệu bán dẫn có giá trị thực tiễn. Ngoài ra, xác định tên được viết cho từng nguyên liệu.
§ 1.5 ngoại sinh Vật liệu-n- và p-Type
12. Mô tả sự khác biệt giữa các loại n và p-loại vật liệu bán dẫn.
13. Mô tả sự khác biệt giữa các nhà tài trợ và chấp nhận các tạp chất.
14. Mô tả sự khác biệt giữa đa số và thiểu số hãng.
15. Vẽ phác thảo cấu trúc nguyên tử của silic và chèn một tạp chất của asen như đã chứng minh cho silicon trong hình. 1.9.
16. Lặp lại 15 vấn đề nhưng chèn một tạp chất indium.
17. Tham khảo ý kiến thư viện tham khảo của bạn và tìm ra lời giải thích của lỗ so với dòng electron. Sử dụng cả hai giới thiệu, mô tả theo cách của bạn quá trình dẫn truyền lỗ.
§ 1.6 Semiconductor Diode
18. Diễn tả bằng lời của riêng bạn các điều kiện thành lập bởi tiến hơn và ngược thiên vị các điều kiện về một diode tiếp giáp pn và làm thế nào các kết quả hiện tại đang bị ảnh hưởng.
19. Mô tả cách thức bạn sẽ nhớ những tiến hơn và trạng thái của các diode tiếp giáp pn-thiên vị đảo ngược. Đó là, làm thế nào bạn sẽ nhớ được tiềm năng (tích cực hoặc tiêu cực) được áp dụng cho các thiết bị đầu cuối mà? 20. Sử dụng phương. (1.4), xác định các diode hiện tại 20 ° C cho một diode silicon với Is 50 nA và một thiên vị về phía trước áp 0,6 V.