It is shown there that the impurity

It is shown there that the impurity doping density in the
base and the emitter of such a transistor is not constant but varies with distance from the top
surface. However, many of the characteristics of such a device can be predicted by analyzing
the idealized transistor structure shown in Fig. 1.6b. In this structure, the base and emitter

Kết quả (Việt) 1:

Nó hiển thị ở đó mà tạp chất doping mật độ trong cáccơ sở và emitter như vậy một bóng bán dẫn không phải là liên tục nhưng khác nhau với khoảng cách từ đầubề mặt. Tuy nhiên, nhiều người trong số các đặc tính của các thiết bị có thể được dự đoán bằng cách phân tíchcấu trúc lý tưởng transistor Hiển thị trong hình 1.6b. Trong cấu trúc này, cơ sở và emitter

Kết quả (Việt) 2:

Nó được hiển thị có mật độ tạp chất doping trong
cơ sở và emitter của một transistor như vậy là không đổi nhưng thay đổi theo khoảng cách từ đỉnh
mặt. Tuy nhiên, nhiều người trong số các đặc tính của một thiết bị như vậy có thể được dự đoán bằng cách phân tích
các cấu trúc bóng bán dẫn lý tưởng hóa hình. 1.6b. Trong cấu trúc này, các cơ sở và emitter