Well formation stage. Implants n-ty

Well formation stage. Implants n-type impurities into the wafer followed by diffusing the impurities deep into the substrate to form the N-Wells. For CMOS process, the silicon substrate is usually p-type.

Kết quả (Việt) 1:

Cũng giai đoạn hình thành. Cấy ghép n-loại tạp chất vào wafer theo khuếch tán các tạp chất sâu vào bề mặt để tạo thành N-Wells. Đối với quá trình CMOS, chất nền silicon thường là kiểu p.

Kết quả (Việt) 2:

Vâng hình sân khấu. Cấy ghép n-loại tạp chất vào wafer sau khuếch tán các tạp chất sâu vào bề mặt để tạo thành N-Wells. Đối với quá trình CMOS, các chất nền silicon thường là loại p.