An increase of indium Materials 201

An increase of indium
Materials 2014, 7 5043
concentration in the starting solution, to 4.0 at% also modifies the surface morphology of the films as
triangular shaped laminar structures of about 400 nm height and 10 nm thicknesses were formed at the
surface. It has been found that this triangular surface morphology is an efficient light trapping structure
which is useful for silicon thin film solar cells

Kết quả (Việt) 1:

Tăng trưởng dân số indi Vật liệu 2014, 7 5043nồng độ trong các giải pháp bắt đầu, để 4,0% cũng sửa đổi bề mặt hình thái của những bộ phim như cấu trúc tầng ép hình tam giác khoảng 400 nm chiều cao và 10 nm độ dày được hình thành tại các bề mặt. Nó đã được tìm thấy này hình thái học bề mặt hình tam giác là một cấu trúc hiệu quả ánh sáng bẫy đó là hữu ích cho các tế bào năng lượng mặt trời màng mỏng silicon

Kết quả (Việt) 2:

Sự gia tăng của indium
liệu năm 2014, 7 5043
tập trung vào các giải pháp xuất phát, đến 4,0% tại cũng thay đổi hình thái bề mặt của những bộ phim như
hình tam giác cấu thành lớp khoảng 400 nm và chiều cao 10 độ dày nm đã được hình thành ở
bề mặt. Nó đã được tìm thấy rằng hình thái bề mặt hình tam giác này là một cấu trúc bẫy ánh sáng hiệu quả
đó là hữu ích cho các tế bào năng lượng mặt trời silicon màng mỏng