a cross-sectional view of the devic

a cross-sectional view of the device after the epitaxial process. Note that there Is some outdiffusion from the buried layer into the epitaxial layer. To minimize outdiffusion, a low-temperature epitaxial process should be employed, and low-difTusivity impurities (e.g.. As) should be used in the buried layer.
The third step is to form the lateral oxide isolation region. A thin oxide pad (-50 nm) is thermally grown on the epitaxial layer, followed by a silicon-nitride deposition (-100 nm)
If nitride is deposited directly onto the silicon without the thin oxide pad, the nitride may cause damage to the silicon surface during subsequent high-temperature steps. Next, the nitride-oxide layers and about half of the epitaxial layer are etched using a photoresist its mask (Figs. 9.8c and d). Boron ions are then implanted into the exposed silicon areas (Fig. 9.Sd).
The photoresist is removed, and the wafer is placed in an oxidation furnace. Since the nitride layer has a very low oxidation rate, thick oxides will be grown only in the areas not protected by the nitride layer. The isolation oxide is usually grown to a thickness such that the top of the oxide becomes coplanar with the original silicon surface to minimize the surface topography. This oxide isolation process is called local oxidation of silicon (LOCOS). Figure 9.9a shows the cross section of the isolation oxide after the removal of the nitride layer. Because of segregation effects, most of the implanted boron ions are pushed underneath the Isolation oxide to form a p‘ layer. This is called the p' channel stop (or chanstop) because the high concentration of p-typc semiconductor will prevent

Kết quả (Việt) 1:

một cái nhìn mặt cắt của thiết bị sau khi quá trình trải. Lưu ý rằng có một số outdiffusion từ các lớp được chôn cất vào lớp trải. Để giảm thiểu outdiffusion, một quá trình trải nhiệt độ thấp nên được sử dụng, và các tạp chất thấp-difTusivity (ví dụ. Như) nên được sử dụng trong lớp bị chôn vùi.
bước thứ ba là để tạo thành vùng cô lập bên ôxít. Một pad ôxít mỏng (-50 nm) nhiệt được trồng trên các lớp trải, theo sau là một lắng đọng silicon-nitrua (-100 nm)
nếu nitrua được gửi trực tiếp vào silic mà không có các phím ôxít mỏng, nitrua có thể gây thiệt hại cho bề mặt silic trong bước tiếp theo nhiệt độ cao. Tiếp theo, Các lớp nitrua-oxit và khoảng một nửa các lớp trải được khắc bằng cách sử dụng một hoà mặt nạ của nó (Figs. 9.8c và d). Bo ion sau đó được cấy ghép vào các lĩnh vực tiếp xúc với silic (hình 9.Sd).
The hoà được lấy ra, và wafer được đặt trong một lò quá trình oxy hóa. Kể từ khi các lớp nitrua có một tỷ lệ rất thấp oxy hóa, dày oxit sẽ được phát triển chỉ trong các lĩnh vực không được bảo vệ bởi các lớp nitrua. Ôxít cô lập thường được tăng lên đến độ dày như vậy mà đầu ôxít trở thành phẳng với bề mặt silic ban đầu để giảm thiểu địa hình bề mặt. Quá trình cô lập ôxít này được gọi là quá trình oxy hóa địa phương của silic (LOCOS). Hình 9.9A cho thấy ngang của sự cô lập ôxít sau khi loại bỏ các lớp nitrua. Vì hiệu ứng phân biệt, hầu hết các ion Bo cấy ghép được thúc ép bên dưới các oxit bị cô lập để tạo thành một p' lớp. Điều này được gọi là các p' kênh dừng (hoặc chanstop) bởi vì nồng độ cao của p-typc bán dẫn sẽ ngăn chặn