Figure 2.22 Voltage-current charact

Figure 2.22 Voltage-current characteristics of irradiated silicon p-n junction. For 0 irradiance, both forward and reverse characteristics are normal. For 1 mW/cm2, open-circuit voltage is 500 mV and short-circuit current is 8 mA.

Kết quả (Việt) 1:

Con số 2,22 điện áp-dòng điện đặc tính của silicon chiếu xạ p-n junction. Cho 0 irradiance, đặc điểm chuyển tiếp và đảo ngược là bình thường. Cho 1 mW/cm2, mở mạch điện áp là 500 mV và ngắn mạch hiện nay là 8 mA.

Kết quả (Việt) 2:

Hình 2.22 đặc điểm áp-hiện tại của chiếu xạ ngã ba silicon pn. Với 0 bức xạ, đặc điểm cả hai phía trước và ngược là bình thường. Đối với 1 mW / cm2, điện áp hở mạch là 500 mV và ngắn mạch hiện tại là 8 mA.