It is not uncommon for a germanium

It is not uncommon for a germanium diode with an Is in the order of 1 or 2 µA at 25°C to have a leakage current of 100 µA = 0.1 mA at a temperature of 100°C. Current levels of this magnitude in the reverse-bias region would certainly question our desired open-circuit condition in the reverse-bias region. Typical values of I.S for silicon are much lower than that of germanium for similar power and current levels as shown in Fig. 1.23. The result is that even at high temperatures the levels of Is for silicon diodes do not reach the same high levels obtained for germanium a very important reason that silicon devices enjoy a significantly higher level of development and utilization in design. Fundamentally, the open-circuit equivalent in the reverse-bias region is better realized at any temperature with silicon than with germanium. The increasing levels of Is with temperature account for the lower levels of threshold voltage, as shown in Fig. 1.24. Simply increase the level of Is in Eq. (1.4) and note the earlier rise in diode current. Of course, the level of TK also will be increasing in the same equation, but the increasing level of Is will overpower the smaller percent change in TK. As the temperature increases the forward characteristics are actually becoming more “ideal,” but we will find when we review the specifications sheets that temperatures beyond the normal operating range can have a very detrimental effect on the diode’s maximum power and current levels. In the reverse-bias region the breakdown voltage is increasing with temperature, but note the undesirable increase in reverse saturation current.

Kết quả (Việt) 1:

Nó không phải là không phổ biến cho một diode gecmani với một là trong thứ tự của 1 hoặc 2 µA ở 25 ° C để có một rò rỉ hiện tại của 100 µA = 0,1 mA ở nhiệt độ 100 ° C. Các cấp độ hiện tại của cường độ này trong vùng đảo ngược-thiên vị chắc chắn sẽ đặt câu hỏi của chúng tôi điều kiện mở mạch mong muốn trong vùng đảo ngược xu hướng. Các giá trị tiêu biểu của đầu cho silicon là thấp hơn nhiều so với gecmani cho quyền lực tương tự như và mức hiện tại như minh hoạ trong hình 1,23. Kết quả là rằng ngay cả ở nhiệt độ cao cấp của là cho silic điốt không đạt được như vậy cao cấp thu được cho gecmani một lý do rất quan trọng rằng silicon thiết bị hưởng một mức độ cao hơn đáng kể của phát triển và sử dụng trong thiết kế. Về cơ bản, tương đương với mạch mở vùng đảo ngược xu hướng tốt hơn được thực hiện ở bất kỳ nhiệt độ với silicon hơn với gecmani. Mức độ ngày càng tăng của là với nhiệt độ tài khoản cho các cấp thấp hơn ngưỡng áp, như minh hoạ trong hình 1.24. Đơn giản chỉ cần tăng mức độ ở Eq. (1.4) và lưu ý sự gia tăng trước đó trong ngày diode hiện tại. Tất nhiên, mức độ TK cũng sẽ gia tăng trong phương trình tương tự, nhưng mức độ ngày càng tăng của là sẽ chế ngự các phần trăm nhỏ hơn thay đổi trong TK. Khi nhiệt độ tăng đặc điểm chuyển tiếp thực sự trở thành nhiều hơn "lý tưởng", nhưng chúng tôi sẽ tìm thấy khi chúng tôi xem xét các thông số kỹ thuật tấm rằng nhiệt độ vượt ra ngoài tầm hoạt động bình thường có thể có một tác động rất bất lợi ngày diode của công suất tối đa và mức hiện tại. Vùng đảo ngược xu hướng phân tích áp đang gia tăng với nhiệt độ, nhưng lưu ý sự gia tăng không mong muốn trong đảo ngược bão hòa hiện tại.

Kết quả (Việt) 2:

Nó không phải là không phổ biến cho một diode germanium với Is theo thứ tự 1 hoặc 2 μA ở 25 ° C để có một rò rỉ hiện tại của 100 μA = 0,1 mA ở nhiệt độ 100 ° C. Mức độ hiện tại của cường độ này ở khu vực đảo ngược thiên vị chắc chắn sẽ đặt câu hỏi điều kiện mong muốn mở mạch của chúng tôi trong khu vực đảo ngược thiên vị. Giá trị tiêu biểu của IS cho silicon thấp hơn nhiều so với germanium cho điện tương tự và mức độ hiện tại như thể hiện trong hình. 1.23. Kết quả là ngay cả ở nhiệt độ cao mức Is đối với diode silicon không đạt được mức độ cao cùng thu được cho germanium một lý do rất quan trọng là các thiết bị silicon hưởng một mức cao hơn đáng kể của sự phát triển và sử dụng trong thiết kế. Về cơ bản, mở mạch tương đương trong khu vực đảo ngược thiên vị được thực hiện tốt hơn ở bất kỳ nhiệt độ với silicon hơn với germanium. Mức tăng của Is với tài khoản của nhiệt độ đối với các cấp thấp hơn điện áp ngưỡng, như thể hiện trong hình. 1.24. Đơn giản chỉ cần tăng mức độ Is trong Eq. (1.4) và lưu ý sự gia tăng trước đó trong diode hiện tại. Tất nhiên, mức độ TK cũng sẽ được tăng lên trong các phương trình tương tự, nhưng mức độ ngày càng tăng của Is sẽ chế ngự sự thay đổi phần trăm nhỏ trong TK. Khi nhiệt độ tăng các đặc tính mong được thực sự ngày càng trở nên "lý tưởng", nhưng chúng ta sẽ tìm thấy khi chúng tôi xem xét các thông số kỹ thuật tấm rằng nhiệt độ vượt ra ngoài phạm vi hoạt động bình thường có thể có một ảnh hưởng rất bất lợi về sức mạnh tối đa của diode mức hiện hành. Tại khu vực đảo ngược thiên vị các sự cố điện áp đang gia tăng với nhiệt độ, nhưng lưu ý sự gia tăng không mong muốn trong ngược bão hòa hiện nay.