The excess carrier density depends

The excess carrier density depends on the power absorbed by the photoconductor.
Given a radiation power densityP[W/m2] incident on the top surface of the photoconductor inFigure 4.4a, and assuming that a fraction Tof this power penetrates into the photoconductor (the rest is reflected off the surface), the power entering the device is PTS¼PTwL[W]. This is, by definition, the energy per unit time absorbed in the device.Since the photons have an energy hf, we can write the total number of excess carrier pairs released per unit time as

Kết quả (Việt) 1:

Mật độ dư thừa trên tàu sân bay phụ thuộc vào năng lượng hấp thụ bởi photoconductor.Cho một bức xạ điện densityP [W/m2] sự cố trên phía trên bề mặt của photoconductor inFigure 4.4a, và giả rằng một phần Tof năng lượng thâm nhập vào photoconductor (phần còn lại được thể hiện ra bề mặt), lực đẩy vào thiết bị là PTS¼PTwL [W]. Điều này là, theo định nghĩa, năng lượng trên một đơn vị thời gian hấp thụ vào điện thoại. Kể từ khi các photon có một năng lượng hf, chúng tôi có thể viết tổng số tàu sân bay dư thừa cặp phát hành trên một đơn vị thời gian như

Kết quả (Việt) 2:

Mật độ vận chuyển vượt quá phụ thuộc vào sức mạnh hấp thụ bởi chất quang dẫn.
Cho một densityP sức mạnh bức xạ [W / m2] Sự việc trên bề mặt của chất quang inFigure 4.4a, và giả định rằng một phần Tof điện này thâm nhập vào quang (phần còn lại được phản ánh ra khỏi bề mặt), sức mạnh vào các thiết bị là PTS¼PTwL [W]. Điều này là, theo định nghĩa, các năng lượng trên một đơn vị thời gian hấp thu trong device.Since các photon có năng lượng hf, chúng ta có thể viết tổng số cặp tàu sân thừa phát hành cho mỗi đơn vị thời gian như