5.4 Quantum wells When two material

5.4 Quantum wells
When two materials such as GaAs and AlGaAs are brought together to form an abrupt interface, a quantum well forms at the interface. This comes about because there is a mismatch in the Ec levels of the two materials: this mismatch will be quantified fully in Sect. 6.7. The discrete energy levels formed in these wells will contribute to the density of states at these positions, and must be combined in a con- sistent manner with the continuum density of states which was derived in Sect. 4.1. In particular, care must be taken to ensure that states inside the wells are not double counted.

Kết quả (Việt) 2:

5.4 giếng Quantum
Khi hai vật liệu như GaAs và AlGaAs được mang lại với nhau để tạo thành một giao diện đột ngột, một hình thức tốt lượng tử vào giao diện. Điều này xuất phát về vì có sự không phù hợp ở các cấp độ Ec của hai chất liệu: không phù hợp này sẽ được định lượng đầy đủ trong phái. 6.7. Các mức năng lượng rời rạc được hình thành trong các giếng sẽ góp phần vào mật độ của các quốc gia ở những vị trí này, và phải được kết hợp một cách không nhất quán đồng với mật độ liên tục của các quốc gia đó được bắt nguồn trong phái. 4.1. Đặc biệt, cần phải cẩn thận để đảm bảo rằng các quốc gia bên trong giếng không được tăng gấp đôi tính.