Seventh Generation HEXFET® Power MO

Seventh Generation HEXFET® Power MOSFETs from
International Rectifier utilize advanced processing
techniques to achieve extremely low on-resistance per
silicon area. This benefit, combined with the fast
switching speed and ruggedized device design that
HEXFET power MOSFETs are well known for, provides
the designer with an extremely efficient and reliable
device for use in a wide variety of applications.
The TO-220 package is universally preferred for all
commercial-industrial applications at power dissipation
levels to approximately 50 watts. The low thermal
resistance and low package cost of the TO-220
contribute to its wide acceptance throughout the industry

Kết quả (Việt) 1:

Seventh Generation HEXFET® năng lượng MOSFETs từChỉnh lưu quốc tế sử dụng tiên tiến chế biếnkỹ thuật để đạt được rất thấp trên kháng cho mỗidiện tích silic. Quyền lợi này, kết hợp với nhanh chóngchuyển đổi tốc độ và chịu đựng thiết bị thiết kế màHEXFET điện MOSFETs được biết đến nhất, cung cấpCác nhà thiết kế với một cực kỳ hiệu quả và đáng tin cậythiết bị để sử dụng trong một loạt các ứng dụng.Gói TO-220 được ưa chuộng phổ biến cho tất cảứng dụng thương mại-công nghiệp tại điện tảncấp độ đến xấp xỉ 50 watt. Thấp nhiệtsức đề kháng và gói thấp chi phí đến-220đóng góp vào sự chấp nhận rộng của nó trên toàn ngành công nghiệp

Kết quả (Việt) 2:

Seventh Generation HEXFET® Power MOSFETs từ
International Rectifier sử dụng chế biến tiên tiến
kỹ thuật để đạt được cực kỳ thấp trên kháng mỗi
khu vực silicon. Lợi ích này, kết hợp với sự nhanh
tốc độ chuyển mạch và thiết kế thiết bị đựoc rằng
HEXFET MOSFETs điện được biết đến với, cung cấp cho
các nhà thiết kế với một cực kỳ hiệu quả và đáng tin cậy
thiết bị để sử dụng trong một loạt các ứng dụng.
Các gói TO-220 được phổ ưa thích dành cho tất cả các
ứng dụng thương mại-công nghiệp tại tản quyền lực
cấp khoảng 50 watt. Các nhiệt thấp
sức đề kháng và chi phí trọn gói thấp của TO-220
góp phần vào sự chấp nhận rộng khắp ngành công nghiệp