First, in order to realize the mixi

First, in order to realize the mixing part, we fabricated a mold
using SU-8 patterining process. After initial cleaning of a
glass substrate, it was coated with SU-8. The coated SU-8 was
patterned by photolithography process. Polydimethylsiloxane
(PDMS) was poured on the fabricated mold and cured. And
then PDMS was separated from the fabricated mold and
conducted punch through process to make Inlet/Outlet. Second,
a p-type (100) silicon substrate was used to fabricate the
pretreatment part and measurement part. A 500-nm-thick
oxide layer was grown on the silicon substrate by oxidation
process. Oxide layer was patterned by photolithography and
wet etching process. In addition, silicon substrate was
anisotropically etched by using a mixture of
tetramethylammonium hydroxide (TMAH) and Isopropyl
Alcohol (IPA) to make pretreatment part and 45 degree
reflective surface. Figure 5 shows the fabricated a LOC-based
TP analysis chip

Kết quả (Việt) 1:

Trước tiên, để nhận ra phần trộn, chúng tôi tạo ra một mốc
sử dụng SU-8 patterining quá trình. Sau khi làm sạch đầu tiên của một
bo mạch kính, nó được bao phủ với SU-8. SU-8 tráng là
khuôn mẫu bởi quá trình photolithography. Polydimethylsiloxane
(PDMS) đã được đổ vào khuôn chế tạo và chữa khỏi. Và
sau đó PDMS đã được tách ra khỏi khuôn chế tạo và
thực hiện các cú đấm thông qua quá trình để làm cho đầu vào/cửa hàng. Thứ hai,
một chất nền silicon kiểu p (100) được sử dụng để đặt ra các
tiền xử lý một phần và đo lường. Một 500-nm-dày
lớp ôxít được trồng trên chất nền silicon bởi quá trình oxy hóa
quá trình. Lớp ôxít khuôn mẫu bởi photolithography và
ướt khắc quá trình. Ngoài ra, chất nền silicon là
anisotropically khắc bằng cách sử dụng một hỗn hợp của
tetramethylammonium hydroxit (TMAH) và Isopropyl
rượu (IPA) để làm cho một phần tiền xử lý và 45 độ
phản chiếu bề mặt. Hình 5 cho thấy các chế tạo một Lộc dựa trên
TP phân tích chip

Kết quả (Việt) 2:

Đầu tiên, để thực hiện một phần trộn, chúng tôi chế tạo một khuôn
sử dụng SU-8 quá trình patterining. Sau khi làm sạch ban đầu của một
chất nền thủy tinh, nó được phủ một lớp SU-8. Các phủ SU-8 được
khuôn mẫu của quá trình in ảnh litô. Polydimetylsiloxan
(PDMS) đã được đổ vào khuôn chế tạo và chữa khỏi. Và
sau đó PDMS được tách ra từ khuôn chế tạo và
tiến hành đục lỗ thông qua quá trình làm Inlet / Outlet. Thứ hai,
một loại p (100) chất nền silicon được sử dụng để chế tạo các
phần tiền xử lý và phần đo lường. A 500-nm dày
lớp oxit được trồng trên chất nền silicon bởi quá trình oxy hóa
quá trình. Lớp oxit được màu của quang khắc và
quá trình khắc axit ướt. Ngoài ra, chất nền silicon đã được
anisotropically khắc bằng cách sử dụng một hỗn hợp của
tetramethylammonium hydroxit (TMAH) và Isopropyl
Alcohol (IPA) để làm cho một phần tiền xử lý và 45 độ
bề mặt phản xạ. Hình 5 cho thấy chế tạo một LOC dựa trên
con chip phân tích TP