Fig. 6. Saturated drain current Ids

Fig. 6. Saturated drain current Ids,sat. calculated as a function of the gate voltage Vgs for AlInN/AlN/GaN HEMTs with different In compositions.

Table 2 Fit of the gate voltage-dependent drain current in AlInN/AlN/GaN HEMTs. The analytical expressions from the top to the bottom correspond to indium compositions ranging from 0.03 to 0.3.

Kết quả (Việt) 1:

Hình 6. Bão hòa cống hiện tại ID, ngồi. tính như là một chức năng của gate áp Vgs cho AlN-AlInN-GaN HEMTs với khác nhau trong tác phẩm. Bảng 2 phù hợp với cổng phụ thuộc vào điện áp cống hiện tại ở AlN-AlInN-GaN HEMTs. Các biểu hiện phân tích từ đỉnh xuống đáy tương ứng với tác phẩm indi trải dài từ 0,03 đến 0,3.

Kết quả (Việt) 2:

Sung. 6. bão hòa ráo Id hiện tại, ngồi. tính như một chức năng của cổng điện áp VGS cho HEMTs AlInN / AlN / GaN với nhau trong tác phẩm.

Bảng 2 Fit của cổng điện áp phụ thuộc vào cống hiện trong AlInN HEMTs / AlN / GaN. Các biểu thức giải tích từ trên xuống dưới tương ứng với các thành phần khác nhau, indium 0,03-0,3.