Introduction ......................

Introduction .................................................................. 1

2. MOS Transistors ........................................................... 2

3. Fabrication of MOS Transistor ..................................... 5

4. Layout a Single Transistor .......................................... 11

First Stroke The basic transistor layout ..................... 12

Second Stroke Compact the transistor layout ................ 13

Third Stroke Speed up the transistor ........................... 17

Fourth Stroke Clean up the substrate Disturbances ...... 20

Fifth Stroke Balancing area, speed and noise ............ 26

Sixth Stroke Relief the stress ...................................... 29

Seventh Stroke Protect the gate ...................................... 30

Eighth Stroke Improve yield ..........................................32
Layout Several Transistors ......................................... 34

Eighth Stroke Improve yield...........................................35 Re-visit

Ninth Stroke Close proximity .......................................36

Tenth Stroke Interdigitated layout ............................... 36

Eleventh Stroke Dummy transistor ................................... 41

Twelfth Stroke Two-dimension interdigitated layout ..... 43

Thirteenth Stroke Guard ring for the matched transistors ... 45

Fourteenth Stroke Keep NMOS away from N-well ............ 45

Fifteenth Stroke Orientate the transistor ........................... 46

Sixteenth Stroke Match the interconnects ......................... 47

Seventeenth Stroke The unmatchable .................................... 50

6. Verifying the Transistor Layout ................................. 52

Eighteenth Stroke Physical verification beyond DRC and LVS ........................................................ 61

Bibliography ........................................................64

Kết quả (Việt) 1:

Introduction .................................................................. 1 2. MOS Transistors ........................................................... 2 3. chế tạo MOS Transistor... 5 4. bố trí một bóng bán dẫn duy nhất... 11 Đầu tiên thì việc bố trí cơ bản transistor... 12 Lần thứ hai đột quỵ nhỏ gọn bóng bán dẫn bố trí... 13 Thứ ba thì tăng tốc độ transistor... 17 Thứ tư thì sạch lên bề mặt rối loạn... 20 Thứ năm thì cân bằng lá, tốc độ và tiếng ồn... 26 Thứ sáu thì giảm sự căng thẳng... 29 Thứ bảy thì bảo vệ cổng... 30 Thứ tám đột quỵ cải thiện năng suất... 32 Bố trí một số bóng bán dẫn... 34 Thứ tám đột quỵ cải thiện năng suất... 35 tái khám Chín nét gần... 36 Bố trí Interdigitated đột quỵ thứ mười... 36 Thứ mười một đột quỵ Dummy transistor... 41 Thứ mười hai đột quỵ 2-kích thước interdigitated bố trí... 43 Mười ba nét Guard nhẫn cho transitor kết hợp... 45 Mười bốn nét giữ NMOS từ N-cũng... 45 Mười lăm nét Ngài có thể hướng transistor... 46 Mười sáu nét phù hợp với các liên kết nối... 47 Mười bảy nét các unmatchable... 50 6. xác nhận bố trí Transistor... 52 18 xác nhận thì vật chất vượt DRC và LVS... 61 Bibliography ........................................................ 64

Kết quả (Việt) 2:

Giới thiệu ................................................. ................. 1

2. MOS Transitor ............................ ............................... 2

3. Chế tạo MOS Transistor ............ ......................... 5

4. Giao diện một Transistor đơn .................. ........................ 11

Đầu tiên Stroke Việc bố trí bóng bán dẫn cơ bản ................... .. 12

đột quỵ lần thứ hai nhỏ gọn bố trí transistor ................ 13

thứ ba Stroke tốc độ lên bóng bán dẫn .................. ......... 17

Stroke Thứ tư Dọn dẹp Rối loạn chất nền ...... 20

khu vực Stroke Balancing Thứ năm, tốc độ và tiếng ồn ............ 26

Thứ sáu Stroke Relief sự căng thẳng ...................................... 29

Stroke Seventh Bảo vệ cổng ...... ................................ 30

đột quỵ lần thứ VIII Cải thiện năng suất ............. ............................. 32
Layout Một số Transitor ................. ........................ 34

đột quỵ lần thứ VIII Cải thiện năng suất ..................... ...................... 35 Re-thăm

IX Stroke Đóng gần .................... ................... 36

X Stroke Interdigitated bố trí .......................... ..... 36

thứ XI Stroke transistor Dummy ................................... 41

Stroke Twelfth hai bánh kích thước bố trí interdigitated ..... 43

vòng Stroke Guard thứ mười ba cho các bóng bán dẫn phù hợp ... 45

thứ mười bốn Stroke Giữ NMOS đi từ N-cũng ............ 45

Stroke Mười Lăm định hướng cho các bóng bán dẫn .. ......................... 46

Stroke XVI Phù hợp với các liên kết nối ................... ...... 47

XVII Stroke Các unmatchable .................................... 50

6. thẩm tra Transistor Layout ................................. 52

XVIII Stroke xác minh vật lý ngoài DRC và LVS .... .................................................. .. 61

Tài liệu tham khảo .............................................. .......... 64