Fig.4. (a) Optical design for the 5

Fig.4. (a) Optical design for the 5lh harmonic generation by coupling (he 4th harmonic (266 nm) and fundamental harmonic H 064 nm) of YACr laser «n*»g a BaBOj optical crystal, and the spectra of the laser (b) before coupling and (c) after coupling (I-type by BaBOj). Finally only the 5th harmonic is generated by removing die residual harmonics (4th, 2nd and fundamental ones) using a prism and terminator.

đoạn khác
£ = 30 mJ/pulse, F = 1.0 J/cm2/pulse, fp = 2 Hz, and P0 = 20 Pa. Film preparation was also studied using the 5th harmonic. The corresponding film has a better surface flatness than that prepared using the 4th harmonic, as shown in Fig. 5a. Higher crystallinity of the film was confirmed by XRD which showed stronger and sharper diffraction lines. The transition temperature to superconductor was also improved. It increased from Tt = 78 to 84 K by changing the laser from 4th to 5th harmonic. In this case, it was found that the optimal fluence was slight lower (7 = 0.8 J/cm2/pulse) with the same values of the other parameters as for the 4th harmonic,
indicating that a slight moderate fluence is necessary for laser having a high photon energy.
These results indicate that a short-wavelength laser is essential to decompose the target materials and construct high quality crystalline films.
2.2. High-temperatore heater and fabrication of SiC polytypes
SiC is expected to be a next generation wide gap semiconductor. Fabrication of epitaxial SiC film is very difficult, however, because it has many polytypes such as 30—, 2H-, 4H- and 6H-SÎC, having vers high growth temperature - around Tg ~1500-2700 CC [15—17]. p-Type doping m «tetco¬processing usually proceeds by ion-implariatioTL It is also difficult, since a further annealing process is Deeded foe activation of the dopants at high-temperanire above ~1600 CC (the transition temperature frose 3C—SiC hexagonal SiC) [15.1"' No fabrication of he?eif>-efHfcusafl films of high-temperature type SiC (hexagrrsal SIC? he i ree~ reported from other groups [1S-I2], A higia ifr- ■ • is needed for fabrication of SiC fHnsgs, even th
khác :
Fig. 4. (a) Optical design for the 5th harmonic generation by coupling the 4th harmonic (266 nm) and fundamental harmonic (1064 nm) of YAG laser using a BaBO)
optica] crystal, and the spectra of the laser (b) before coupling and (c) after coupling (I-type by BaBO,). Finally only the 5th harmonic is generated by removing the residua] harmonics (4th, 2nd and fundamental ones) using a prism and terminator.
khác :
Fig. 2. Optical spectrum of the Roman-shifted laser generated by high-pressure Hj gas. It is composed of anti-Stokes lines iv(+n) and Stokes lines y(—/i) with the frequencies u(±n) = v0 ± nuH; here v0 = c/ is the incident laser frequency, i4 and i>5 occurs at a H2 pressure of 4-6 kg/cm2 for a Raman-tube with an optical path length of 800 mm [9]. We re-examined and found that the conversion efficiency was very sensitive to the inlet laser energy Ein and that the optimal H2 pressure was ~4.5 kg/cm2 for E
- 50 mJ/pulse. Here, it should be noted that spectral lines designated by 2A.o (+4, +3,..., —2) in Fig. 2 are the replica of A.0 which ire necessarily reflected at 2A.0 position when grating is u*ed and that low intensity of the lines at the short-
khác ::
wavelength region below 220 nm is partially due to a low sensitivity of the present spectrometer at the region. Fabrication of YBajCujOy superconductor films was examined using the present RSL. After some trials we could reproducibly prepare high quality YBCO epitaxial films having a much smaller number of impurity particles (droplets) than films prepared using the usual 4th harmonic YAG laser, as shown in Fig. 3. The preparation conditions are as follows: Ztiniet = 50 mJ/pulse, /p = 2 Hz and heater temperature fj| =800 °C. The quality may be better than that of films prepared using excimer lasers or YAG lasers [10-13]. The superconducting transition tempera¬ture of the present films matches reported values (Tc = 90.0 ± 0.5 K) [12]. The reason for the reduction of droplets is suggested as follows: the Raman-shifted laser consists of a multitude of new frequencies, containing short- wavelengths which can efficiently decompose the target material to small particles in atomic size via photo-dissociation. The multi-wavelengths also may help the dissociation of the composite target YBa2Cu3Ov having large and different bond strengths; D298(Y-0) = 167 nm, D298(Cu-0) = 348 nm, and D298(Ba-0) = 180 nm in wavelength unit. Decomposition to atomic size is essential for suppression of droplet formation.
Fig. 4a shows the optical design for 5th harmonic generation. The harmonic is generated using a BaB03 optical crystal by combining the fundamental (1064 nm) and 4th harmonic (266 nm) from a commercially available nano¬second laser (Spectron LS-803). The combination is made by I- type coupling, so the polarization of the two harmonics is aligned in parallel by adjusting the orientation of the polarizer before coupling. The second harmonic is removed using a miller, since it disturbs the coupling. After the coupling, the 5th harmonic results upon removing the residual harmonics (4th, 2nd and fundamentals) using a prism and terminator, as shown in Fig. 4a-cij The spectral line of A,(2) = 522 nm in (b), and 2 x AJU and 3 x A(5) in (c) are merely the replica caused by reflection of the 4th harmonic X(4) and 5th harmonic A.(5), respectively, by a grating of the spectrometer.
By PLAD, NdBajCusOy superconductor tends to give rise to epitaxial films having a rough surface composed of large grains [14], as shown in Fig. 5b. This figure shows a microscopic optical image observed for a film prepared on a STO(l 1 1) substrate by PLAD using the YAG 4th harmonic under optimized

conditions at a heater temperature of Tj, I 800 °C:

Kết quả (Việt) 1:

Fig.4. (a) quang học thiết kế cho thế hệ hài hòa 5lh bởi khớp nối (ông 4 dao (266 nm) và cơ bản điều hòa H 064 nm) của YACr laser «n *» g một tinh thể quang học BaBOj, và quang phổ của laser (b) trước khi khớp nối và (c) sau khi khớp nối (I-loại bởi BaBOj). Cuối cùng chỉ có 5 điều hòa được tạo ra bằng cách loại bỏ chết dư hài (những cái 4, thứ 2 và cơ bản) bằng cách sử dụng một lăng kính và kẻ hủy diệt.Đoạn ông £ = 30 mJ/xung, F = 1.0 xung/cm2/J, fp = 2 Hz, và P0 = 20 Pa. phim chuẩn bị cũng được nghiên cứu bằng cách sử dụng dao 5. Phim tương ứng có một độ phẳng bề mặt tốt hơn so với chuẩn bị bằng cách sử dụng dao 4, như minh hoạ trong hình 5a. Crystallinity cao của bộ phim đã được xác nhận bởi XRD cho thấy mạnh mẽ hơn và sắc nét hơn nhiễu xạ dòng. Nhiệt độ quá trình chuyển đổi siêu dẫn cũng được cải thiện. Nó tăng từ Tt = 78-84 K bằng cách thay đổi laser từ 4 đến 5 hài hòa. Trong trường hợp này, nó đã được tìm thấy rằng fluence tối ưu là nhẹ thấp hơn (7 = 0.8 J/cm2/xung) với cùng các giá trị của các thông số khác đối với 4 điều hòa, chỉ ra rằng một chút trung bình fluence là cần thiết cho laser có năng lượng cao photon.Những kết quả này chỉ ra rằng một laser bước sóng ngắn là điều cần thiết để phân hủy các vật liệu mục tiêu và xây dựng bộ phim tinh thể chất lượng cao.2.2. cao-temperatore nóng và chế tạo của SiC polytypesSiC sẽ là bán dẫn rộng khoảng cách thế hệ tiếp theo. Chế tạo trải SiC phim là rất khó khăn, Tuy nhiên, bởi vì nó có nhiều polytypes như 30-, 2 H-, 4 H - và 14 H-SÎC, có nhiệt độ tăng trưởng cao vers - xung quanh thành phố Tg ~ 1500-2700 CC [15-17]. Kiểu p doping m «tetco¬processing thường tiến hành bởi ion-implariatioTL nó cũng là khó khăn, kể từ khi thêm một ủ quá trình là Deeded kẻ thù kích hoạt của tử lúc cao-temperanire trên ~ 1600 CC (quá trình chuyển đổi nhiệt độ frose 3C — SiC lục giác SiC) [15.1"' không chế tạo của ông? eif >-efHfcusafl phim của nhiệt độ cao loại SiC (hexagrrsal SIC? ông tôi ree ~ báo cáo từ các nhóm khác [1-I2], một higia ifr-■ • là cần thiết cho sản xuất của SiC fHnsgs, thậm chí thông:Hình 4. (a) thiết kế quang học cho các thế hệ 5 điều hòa bởi khớp nối dao 4 (266 nm) và điều hòa cơ bản (1064 nm) YAG laser sử dụng một BaBO)tinh thể Optica], và quang phổ của laser (b) trước khi các khớp nối và (c) sau khi khớp nối (I-loại bởi BaBO,). Cuối cùng chỉ có 5 điều hòa được tạo ra bằng cách loại bỏ các residua] hài (những cái 4, thứ 2 và cơ bản) bằng cách sử dụng một lăng kính và kẻ hủy diệt.ông:Hình 2. Quang phổ của La Mã-Shift laser được tạo ra bởi áp lực cao Hj khí. Nó gồm có chống Stokes dòng iv(+n) và Stokes dòng y(—/i) với tần số u(±n) = v0 ± nuH; ở đây v0 = c / là tần số của laser khi gặp sự cố, tôivà ổn định để laser chiếu xạ. RSL laser impinges trên mục tiêu bên trong buồng cùng với phần (dư) ỏi của các. ««incident laser, sau khi trang thông qua một VUV - ống kính trong suốt tạo từ các MgF2 hoặc Smf2. Mật độ năng lượng lắng đọng trên mục tiêu (fluence) được điều khiển bằng cách sử dụng một cơ chế tập trung mà có thể thay đổi toàn bộ bộ máy Raman (H2 ống và lense-1). Cho các ứng dụng PLAD đó là mong muốn để tạo ra mạnh mẽ chống Stokes dòng với bước sóng ngắn bao gồm cả VUV. Hiệu quả chuyển đổi cho các thành phần RSL phụ thuộc vào năng lượng laser khi gặp sự cố (E¡ "), chiều dài đường dẫn quang và áp lực khí H2. Hiệu quả của các chuyển đổi từ YAG 4th hài hòa để thứ tư (n = 4) và thứ năm (n = 5) thành phần chống-Stokes đã được nghiên cứu, nơi v4 = v0 + 4 vH = c! A.4 = c / (184 nm), v5 = c/Xs = c / (171 nm), như minh hoạ trong hình 2. Đây là báo cáo rằng chuyển đổi tối ưu để tôi > 4 và tôi > 5 xảy ra ở một áp suất H2 4-6 kg/cm2 cho một Raman-ống với một chiều dài đường dẫn quang 800 mm [9]. Chúng tôi tái kiểm tra và thấy rằng hiệu quả chuyển đổi là rất nhạy cảm với năng lượng laser inlet Ein và áp lực H2 tối ưu là ~4.5 kg/cm2 cho E
- 50 mJ/xung. Ở đây, nó cần lưu ý rằng vạch tên là 2A.o (+ 4, + 3,...,-2) trong hình 2 là bản sao của A.0 đó ire nhất thiết phản ánh ở vị trí 2A.0 khi sàn lưới là u * ed và rằng cường độ thấp của đường dây tại ngắn -ông:Hình 2. Quang phổ của La Mã-Shift laser được tạo ra bởi áp lực cao Hj khí. Nó gồm có chống Stokes dòng iv(+n) và Stokes dòng y(—/i) với tần số u(±n) = v0 ± nuH; ở đây v0 = c / là tần số của laser khi gặp sự cố, tôi4 và tôi > 5 xảy ra ở một áp suất H2 4-6 kg/cm2 cho một Raman-ống với một chiều dài đường dẫn quang 800 mm [9]. Chúng tôi tái kiểm tra và thấy rằng hiệu quả chuyển đổi là rất nhạy cảm với năng lượng laser inlet Ein và áp lực H2 tối ưu là ~4.5 kg/cm2 cho E
- 50 mJ/xung. Ở đây, nó cần lưu ý rằng vạch tên là 2A.o (+ 4, + 3,...,-2) trong hình 2 là bản sao của A.0 đó ire nhất thiết phản ánh ở vị trí 2A.0 khi sàn lưới là u * ed và rằng cường độ thấp của đường dây tại ngắn - ông::bước sóng vùng dưới 220 nm là một phần do một độ nhạy thấp của quang phổ mặt tại khu vực. Chế tạo YBajCujOy siêu dẫn phim được kiểm tra bằng cách sử dụng RSL hiện nay. Sau khi thử nghiệm một số chúng tôi có thể reproducibly chuẩn bị chất lượng cao YTTRIUM trải phim có một số lượng nhỏ hơn nhiều của tạp chất hạt (hạt) hơn phim chuẩn bị bằng cách sử dụng bình thường 4 điều hòa YAG laser, như hiển thị trong hình 3. Các điều kiện để chuẩn bị như sau: Ztiniet = 50 mJ/xung, /p = 2 Hz và nóng nhiệt độ fj| = 800 ° C. Chất lượng có thể tốt hơn so với bộ phim chuẩn bị bằng cách sử dụng excimer laser hoặc YAG laser [10-13]. Tempera¬ture quá trình chuyển đổi siêu dẫn của phù hợp với bộ phim trình bày báo cáo giá trị (Tc = 90,0 ± K cách 0.5) [12]. Lý do cho việc giảm giọt được đề xuất như sau: Raman-Shift laser bao gồm một vô số các tần số mới, có bước sóng ngắn mà hiệu quả có thể phân hủy mục tiêu vật chất để các hạt nhỏ trong các kích thước nguyên tử thông qua phân ly ảnh. Các bước sóng nhiều cũng có thể giúp phân ly của mục tiêu hỗn hợp YBa2Cu3Ov có thế mạnh trái phiếu lớn và khác nhau; D298(Y-0) = 167 nm, D298(Cu-0) = 348 nm, và D298(Ba-0) = 180 nm tại bước sóng đơn vị. Phân hủy để kích thước nguyên tử là điều cần thiết cho đàn áp giọt hình thành.Hình 4a cho thấy thiết kế quang học cho 5 thế hệ hài hòa. Dao được tạo ra bằng cách sử dụng một tinh thể quang BaB03 bằng cách kết hợp cơ bản (1064 nm) và 4 dao (266 nm) từ một thương mại có sẵn nano¬second laser (Spectron LS-803). Sự kết hợp được thực hiện bởi tôi-loại khớp nối, do đó, sự phân cực của hai hài liên kết song song bằng cách điều chỉnh hướng phân cực trước khi các khớp nối. Dao thứ hai được lấy ra bằng cách sử dụng một miller, kể từ khi nó xáo trộn các khớp nối. Sau khi các khớp nối, 5 dao kết quả theo loại bỏ dư hài (4th, thứ 2 và nguyên tắc cơ bản) bằng cách sử dụng một lăng kính và kẻ hủy diệt, như được hiển thị trong hình 4a-cij dòng quang phổ của A,(2) = 522 nm trong mục (b), và 2 x AJU và 3 x A(5) (c) là chỉ đơn thuần là các bản sao mà gây ra bởi sự phản ánh của X(4) hài hòa 4 và 5 hòa A.(5), tương ứng, bởi một tấm lưới trải quang phổ.Bởi PLAD, NdBajCusOy siêu dẫn có xu hướng làm phát sinh trải phim có một bề mặt gồ ghề bao gồm lớn hạt [14], như minh hoạ trong hình 5b. Con số này cho thấy một hình ảnh quang học vi quan sát cho một bộ phim chuẩn bị trên một bề mặt STO (l 1 1) bởi PLAD bằng cách sử dụng YAG 4 dao theo tối ưu hóa điều kiện tại một nhiệt độ nóng của Tj, tôi 800 ° C:

Kết quả (Việt) 2:

Hình 4. (A) thiết kế quang học cho các thế hệ hài hòa 5lh bởi khớp nối (ông 4 hòa (266 nm) và cơ bản hòa H 064 nm) của YACr Laser «n *» tinh quang ga BaBOj, và quang phổ của laser (b) trước khi khớp nối và (c) sau khi ghép nối (I-loại bởi BaBOj). Cuối cùng chỉ hài hòa thứ 5 được tạo ra bằng cách loại bỏ các giai điệu âm còn lại die (4, 2 người và cơ bản) sử dụng một lăng kính và terminator. đoạn khác bảng Anh = 30 mJ / xung, F = 1.0 J / cm2 / xung, fp = 2 Hz, và P0 = 20 chuẩn bị Pa. Phim cũng đã được nghiên cứu bằng cách sử dụng hài hòa 5. Bộ phim tương ứng có độ phẳng bề mặt tốt hơn so với chuẩn bị bằng cách sử dụng điều hòa 4, như thể hiện trong hình. 5a. Tinh thể cao hơn của bộ phim đã được khẳng định bởi XRD cho thấy dòng nhiễu xạ mạnh hơn và sắc nét hơn. Nhiệt độ chuyển đổi sang siêu dẫn cũng đã được cải thiện. Nó tăng từ Tt = 78-84 K bằng cách thay đổi các laser từ 4 đến 5 hài hòa. Trong trường hợp này, nó đã được tìm thấy rằng sự ảnh hưởng tối ưu là nhẹ hơn (7 = 0,8 J / cm2 / xung) với cùng một giá trị của các thông số khác như cho hòa thứ 4, chỉ ra rằng một fluence vừa nhẹ là cần thiết cho laser có một năng lượng photon cao. Những kết quả này chỉ ra rằng một laser có bước sóng ngắn là điều cần thiết để phân hủy các vật liệu xây dựng mục tiêu và phim tinh chất lượng cao. 2.2. Nóng cao temperatore và chế tạo của SiC thù hình tinh thể SiC được kỳ vọng sẽ là thế hệ tiếp theo khoảng cách rộng bán dẫn. Chế tạo epitaxy phim SiC là rất khó khăn, tuy nhiên, vì nó có nhiều thù hình tinh thể như 30, 2H, 4H- và 6H-SiC, có vers nhiệt độ tăng trưởng cao - khoảng Tg ~ 1500-2700 CC [15-17]. p-Type doping m «tetco¬processing thường tiến hành bằng ion-implariatioTL Đó cũng là khó khăn, vì một quá trình tôi luyện thêm được Deeded kích kẻ thù của các tạp chất ở cao temperanire trên ~ 1600 CC (nhiệt độ chuyển frose 3C-SiC lục giác SiC ) [15.1 "'Không chế tạo của anh? EIF> -efHfcusafl phim của loại nhiệt độ cao SiC (hexagrrsal SIC? i ông REE ~ báo cáo từ các nhóm khác [1S-I2], A higia ifr- ■ • là cần thiết để chế tạo SiC fHnsgs, thậm chí thứ khác: . Hình 4. (a) thiết kế quang học cho các thế hệ hài hòa thứ 5 bởi sự kết hợp hài hòa thứ 4 (266 nm) và cơ bản hòa (1064 nm) của laser YAG sử dụng một Babo) Optica] tinh thể, và quang phổ của laser (b) trước khi khớp nối và (c) sau khi ghép nối (I-type của Babo,). Cuối cùng chỉ hài hòa thứ 5 được tạo ra bằng cách loại bỏ các residua] giai điệu (4, 2 người và cơ bản) sử dụng một lăng kính và terminator . khác: . Hình 2. phổ quang học của laser Roman-chuyển được tạo ra bởi áp suất cao Hj gas Nó bao gồm dây chống Stokes iv (+ n) và dòng Stokes y (- / i) với tần số u (. n ±) = v0 ± NUH; đây v0 = c / là tần số laser tới, i











và ổn định để chiếu xạ laser. Các laser RSL impinges trên mục tiêu bên trong căn phòng cùng với các thể đảo ngược (còn lại) phần. laser tới, sau khi chuẩn trực thông qua một thấu kính trong suốt VUV- làm MgF2 hoặc CaF2. Mật độ năng lượng lắng đọng trên các mục tiêu (fluence) được điều khiển bằng cách sử dụng một cơ chế tập trung mà có thể thay đổi toàn bộ bộ máy Raman (ống H2 và lense-1). Đối với các ứng dụng PLAD đó là mong muốn tạo ra anti-Stokes dòng mạnh với bước sóng ngắn bao gồm VUV. Hiệu suất chuyển đổi để các thành phần RSL phụ thuộc vào năng lượng laser tới (E¡ "), chiều dài đường quang và áp lực của khí H2. Hiệu quả của việc chuyển đổi từ 4 hòa YAG đến thứ tư (n = 4) và thứ năm (n = 5) chống Stokes các thành phần đã được nghiên cứu, nơi v4 = v0 + 4 Vh = c! A.4 = c / (184 nm), v5 = c / Xs = c / (171 nm), như thể hiện trong hình. 2. Đây là báo cáo rằng chuyển đổi tối ưu để i> 4 và i> 5 xảy ra ở áp suất H2 từ 4-6 kg / cm2 cho một Raman ống với chiều dài đường quang 800 mm [9]. Chúng tôi kiểm tra lại và thấy rằng hiệu suất chuyển đổi là rất nhạy cảm với năng lượng laser đầu vào Ein và rằng áp lực tối ưu H2 là ~ 4,5 kg / cm2 cho E n - 50 mJ / xung. Ở đây, cần lưu ý rằng các vạch phổ do 2A.o (4, 3, ..., -2) trong hình. 2 là bản sao của A.0 mà nhất thiết phản ánh sự giận dữ ở vị trí 2A.0 khi lưới là u * ed và cường độ thấp của dòng ở ngắn hạn
khác: Hình. 2. phổ quang học của laser Roman-chuyển được tạo ra bởi áp suất cao Hj khí. Nó bao gồm các anti-Stokes dòng iv (+ n) và dòng Stokes y (- / i) với tần số u (± n) = v0 ± NUH; đây v0 = c / là tần số laser tới, i

4 và i> 5 xảy ra ở áp suất H2 từ 4-6 kg / cm2 cho một Raman ống với chiều dài đường quang 800 mm [9]. Chúng tôi kiểm tra lại và thấy rằng hiệu suất chuyển đổi là rất nhạy cảm với năng lượng laser đầu vào Ein và rằng áp lực tối ưu H2 là ~ 4,5 kg / cm2 cho E n - 50 mJ / xung. Ở đây, cần lưu ý rằng các vạch phổ do 2A.o (4, 3, ..., -2) trong hình. 2 là bản sao của A.0 mà nhất thiết phản ánh sự giận dữ ở vị trí 2A.0 khi lưới là u * ed và cường độ thấp của dòng ở ngắn hạn
khác ::
vùng có bước sóng dưới 220 nm là một phần do độ nhạy thấp phổ kế có mặt tại khu vực. Chế tạo các bộ phim siêu dẫn YBajCujOy đã được kiểm tra bằng cách sử dụng RSL hiện. Sau một số thử nghiệm, chúng tôi có thể chuẩn bị reproducibly phim YBCO epitaxy chất lượng cao có một số lượng nhỏ hơn nhiều của các hạt tạp chất (giọt) hơn những bộ phim chuẩn bị bằng cách sử dụng 4 laser YAG hòa thông thường, như thể hiện trong hình. 3. Các điều kiện chuẩn bị như sau: Ztiniet = 50 mJ / xung, / p = 2 Hz và nhiệt độ nóng fj | = 800 ° C. Chất lượng có thể được tốt hơn so với các bộ phim chuẩn bị sử dụng tia laser excimer laser YAG hay [10-13]. Các tempera¬ture chuyển pha siêu dẫn của các bộ phim hiện nay phù hợp với các giá trị đã báo cáo (Tc = 90,0 ± 0,5 K) [12]. Lý do cho việc giảm giọt được đề nghị như sau: laser Raman dịch chuyển bao gồm vô số các tần số mới, có bước sóng ngắn mà hiệu quả có thể phân hủy các chất liệu mục tiêu với các hạt có kích thước nhỏ nguyên tử thông qua hình ảnh phân ly. The-đa bước sóng cũng có thể giúp phân ly của các mục tiêu hợp YBa2Cu3Ov có thế mạnh trái phiếu lớn và khác nhau; D298 (Y-0) = 167 nm, D298 (Cu-0) = 348 nm, và D298 (Ba-0) = 180 nm trong đơn vị bước sóng. Phân hủy để kích thước nguyên tử là điều cần thiết để ức chế sự hình thành giọt.
Fig. 4a cho thấy việc thiết kế quang học cho thế hệ hài hòa 5. Hài hòa được tạo ra bằng cách sử dụng một tinh thể quang BaB03 bằng cách kết hợp cơ bản (1064 nm) và hòa 4 (266 nm) từ một laser nano¬second thương mại có sẵn (Spectron LS-803). Sự kết hợp được thực hiện bởi I- loại khớp nối, vì vậy sự phân cực của hai giai điệu được liên kết song song bằng cách điều chỉnh các định hướng của bản phân cực trước khi ghép. Các sóng hài bậc hai được gỡ bỏ bằng cách sử dụng một miller, vì nó làm nhiễu loạn các khớp nối. Sau khi ghép nối, kết quả hòa thứ 5 khi loại bỏ những giai điệu còn lại (4, 2 và nguyên tắc cơ bản) sử dụng một lăng kính và các đầu cuối, như thể hiện trong hình. 4a-Cij Các vạch phổ của A, (2) = 522 nm (b), và 2 x 3 x AJU và A (5) (c) chỉ là những bản sao gây ra bởi sự phản ánh của 4 hòa X (4) và 5 A. hòa (5), tương ứng, theo một cách tử của máy quang phổ.
By PLAD, NdBajCusOy chất siêu dẫn có xu hướng làm tăng epitaxy phim có một bề mặt thô gồm hạt lớn [14], như thể hiện trong hình. 5b. Con số này cho thấy một hình ảnh quang học quan sát bằng kính hiển vi cho một bộ phim chuẩn bị trên một STO (l 1 1) chất nền bằng cách sử dụng các PLAD 4 hòa YAG dưới tối ưu hóa các điều kiện ở nhiệt độ nóng của Tj, tôi 800 ° C: