A high-efficiency waveguide InGaAs

A high-efficiency waveguide InGaAs PIN photodiode with a
bandwidth greater than 40 GHz at a responsivity of 055 A/W (external quantum
efficiency of 44%) has been reported in Ref [16], whereas InP/InGaAs unitravelling-carrier photodiode with 310 GHz bandwidth at 1550 nm wavelength is
demonstrated in Ref [17] However, the commercially available devices only offer
bandwidth up to 20 GHz; this is mainly due to limitations of the packaging

Kết quả (Việt) 1:

Một hiệu quả cao waveguide InGaAs PIN photodiode với mộtbăng thông lớn hơn 40 GHz tại responsivity một số 0 55 A/W (bên ngoài lượng tửhiệu quả của 44%) đã được báo cáo trong Ref [16], trong khi các InP/InGaAs tàu sân bay unitravelling photodiode với 310 GHz băng thông tại bước sóng 1550 nmchứng minh trong Ref [17] Tuy nhiên, các thiết bị thương mại có sẵn chỉ cung cấpbăng thông tối đa 20 GHz; đây là chủ yếu là do hạn chế của bao bì

Kết quả (Việt) 2:

Một hiệu suất cao ống dẫn sóng InGaAs PIN photodiode với một
băng thông lớn hơn 40 GHz tại một báo động về 0? 55 A / W (lượng tử bên ngoài
hiệu quả 44%) đã được báo cáo trong Ref? [16], trong khi InP / InGaAs unitravelling-carrier photodiode với băng thông 310 GHz 1550 nm bước sóng được
chứng minh trong Ref? [17]? Tuy nhiên, các thiết bị thương mại có sẵn chỉ cung cấp
băng thông lên đến 20 GHz; này chủ yếu là do những hạn chế của bao bì