It has been observed that TbRhSn an

It has been observed that TbRhSn and DyRhSn show an upturn in magnetic susceptibility data, which may be due to reorientation of magnetic moments at low temperatures [313, 319, 320, 321, 322]. TbRhSn and DyRhSn also show metamagnetic transition and is characterized by spin flop transition. Many authors have reported that HoRhSn is FM, however the neutron diffraction data show AFM behavior [323, 324, 325]. ErRhSn does not show any magnetic order down to 1.8 K, but the negative sign of θp suggests AFM interactions in this compound. The neutron diffraction experiment at low temperature is underway for this compound. The compounds R=Tb-Tm releases only 10-32 % entropy at their respective ordering temperatures, which indicates a crystal field split ground state multiplet in these compounds [313]. A hump like shape in heat capacity data above ordering temperature, suggests that PrRhSn and ErRhSn show Schottky anomaly above their ordering temperatures [313, 326]. YbRhSn shows AFM ordering below 2 K [132]. The estimation of high γ value (1200 mJ/K2 mol) from heat capacity data confirms heavy fermionic state in this compound.
In RRhSb compounds, LaRhSb is a BCS superconductor below 2.1 K [81]. Magnetization and heat capacity data in PrRhSb show two peaks, at 18 and 6 K. The authors [81] have reported the lower transition as FM and the upper transition as AFM. CeRhSb in this series is one of the most studied compounds in RTX family. More than 100 reports are available on this compound alone and hence in this review, we only discuss the most important findings on this compound. Like CeNiSn, CeRhSb also shows semiconducting behavior. It has been observed that both these compounds adopt TiNiSi type orthorhombic crystal structure and show Kondo behavior at high temperatures with a feature of gap formation at low temperatures [327]. Though having many similar properties, these compounds show different pressure dependencies of electrical resistivity; under high pressure the gap in CeNiSn (single crystals) collapses whereas in CeRhSb, it increases [328 and ref. therein].
The Hall study in CeRhSb shows that Hall coefficient is positive and shows rapid increase along with Hall mobility below 8 K, which corresponds to gap opening in the single carrier model [328]. It has been observed that with the application of pressure in CeRhSb, the Kondo temperature increases and gap is quenched at 80 kbar [327]. The nuclear spin-lattice relaxation study of CeNiSn and CeRhSb demonstrates that the gapped state in spin excitation
possesses the v-shaped structure [329]. The magnetic heat capacity in the form of Cm/T

Kết quả (Việt) 2:

Nó đã được quan sát thấy rằng TbRhSn và DyRhSn thấy một gia tăng trong các dữ liệu nhạy cảm từ tính, mà có thể là do sự định hướng lại những khoảnh khắc từ ở nhiệt độ thấp [313, 319, 320, 321, 322]. TbRhSn và DyRhSn cũng cho thấy quá trình chuyển đổi metamagnetic và được đặc trưng bởi sự chuyển đổi quay flop. Nhiều tác giả đã báo cáo rằng HoRhSn là FM, tuy nhiên các dữ liệu nhiễu xạ neutron cho AFM hành vi [323, 324, 325]. ErRhSn không hiển thị bất kỳ trật tự từ xuống đến 1,8 K, nhưng các dấu hiệu tiêu cực của θp cho thấy tương tác AFM trong hợp chất này. Các thí nghiệm nhiễu xạ neutron ở nhiệt độ thấp đang được tiến hành cho hợp chất này. Các hợp chất R = Tb-Tm phát hành chỉ có 10-32% entropy ở nhiệt độ đặt hàng của mình, mà chỉ ra một lĩnh vực tinh thể phân chia đất multiplet nhà nước trong các hợp chất này [313]. Một cái bướu như hình dạng trong dữ liệu công suất nhiệt cao hơn nhiệt độ đặt hàng, cho thấy rằng PrRhSn và ErRhSn hiện Schottky bất thường ở trên nhiệt độ đặt hàng của họ [313, 326]. YbRhSn lãm AFM đặt hàng dưới 2 K [132]. Các ước tính giá trị γ cao (1200 mJ / K2 mol) từ dữ liệu nhiệt dung xác nhận tình trạng fermion nặng trong hợp chất này.
Trong các hợp chất RRhSb, LaRhSb là chất siêu dẫn BCS dưới 2,1 K [81]. Từ hóa và nhiệt dung dữ liệu trong PrRhSb thấy hai đỉnh núi, năm 18 tuổi và 6 K. Các tác giả [81] đã báo cáo quá trình chuyển đổi thấp hơn như FM và quá trình chuyển đổi trên là AFM. CeRhSb trong loạt bài này là một trong những hợp chất nghiên cứu nhiều nhất trong RTX gia đình. Hơn 100 báo cáo có sẵn trên hợp chất này một mình và vì thế trong bài viết này, chúng tôi chỉ thảo luận về những phát hiện quan trọng nhất về hợp chất này. Giống như CeNiSn, CeRhSb cũng cho thấy hành vi bán dẫn. Nó đã được quan sát thấy rằng cả những hợp chất này thông qua TiNiSi kiểu cấu trúc tinh thể trực thoi và có những hành vi Kondo ở nhiệt độ cao với một tính năng hình thành khoảng cách ở nhiệt độ thấp [327]. Mặc dù có nhiều đặc tính tương tự, các hợp chất này cho thấy sự phụ thuộc áp lực khác nhau của điện trở; dưới áp lực cao khoảng cách về CeNiSn (đơn tinh thể) sụp đổ trong khi ở CeRhSb, nó làm tăng [328 và ref. đó].
Các nghiên cứu Hall ở CeRhSb cho thấy hệ số Hall là tích cực và cho thấy sự gia tăng nhanh chóng cùng với trường di động dưới 8 K, tương ứng với khoảng cách mở cửa trong mô hình tàu sân bay duy nhất [328]. Nó đã được quan sát thấy rằng với các ứng dụng của áp lực trong CeRhSb, nhiệt độ Kondo tăng và khoảng cách được dập tắt lúc 80 kbar [327]. Các nghiên cứu thư giãn spin-mạng tinh thể hạt nhân của CeNiSn và CeRhSb chứng tỏ rằng nhà nước gapped trong kích thích xoay
sở hữu các hình chữ V, cấu trúc [329]. Nhiệt dung từ tính trong các hình thức của Cm / T