where fo is the resonant frequency

where fo is the resonant frequency of a microstrip antenna assuming a magnetic wall boundary condition, Er is the relative dielectric constant, Sf is the change in resonant frequency, and SEf is the change in relative dielectric constant. For example, if the operating frequency of the antenna is to be predicted to +- 0.5 percent using Er= 2.55, the required ac-curacy is SEr = 0.025. However a typical quoted dielectric constant accuracy for materials of this type is SEr = +- 0.04. The relative frequency change for small dimensional changes may be expressed in terms of linear dimensions or in terms of temperature changes as follows:

Kết quả (Việt) 1:

nơi fo là tần số cộng hưởng của một ăng-ten microstrip giả sử điều kiện biên giới từ tường, Er là hằng số lưỡng điện tương đối, Sf là sự thay đổi trong tần số cộng hưởng, và SEf là sự thay đổi trong tương đối lưỡng điện hằng số. Ví dụ, nếu tần số hoạt động của ăng-ten là để được dự đoán bằng cách sử dụng Er +-0,5% = 2,55, ac-curacy yêu cầu là SEr = 0.025. Tuy nhiên, tính chính xác điển hình trích dẫn lưỡng điện hằng số cho các tài liệu của loại hình này là SEr = +-0,04. Thay đổi tần số tương đối nhỏ thay đổi chiều có thể được thể hiện trong điều khoản của các kích thước tuyến tính hoặc trong điều kiện nhiệt độ thay đổi như sau:

Kết quả (Việt) 2:

nơi fo là tần số cộng hưởng của một anten microstrip giả định một điều kiện biên bức tường từ, Er là hằng số điện môi tương đối, Sf là sự thay đổi tần số cộng hưởng, và SEF là sự thay đổi hằng số điện môi tương đối. Ví dụ, nếu tần số hoạt động của ăng-ten đang được dự đoán + - 0,5 phần trăm sử dụng Er = 2.55, các yêu cầu ac-họ nhánh do cha phó coi sóc là ser = 0,025. Tuy nhiên một trích dẫn chính xác hằng số điện môi đặc trưng cho vật liệu của loại này là ser = + - 0.04. Sự thay đổi tần số tương đối cho những thay đổi nhỏ chiều có thể được biểu hiện dưới các kích thước tuyến tính hoặc trong điều kiện thay đổi nhiệt độ như sau: