The Gm cell of the Gm–C integrator

The Gm cell of the Gm–C integrator is de- signed to be a common source amplifier with a diode connected load, which has a large bandwidth but small gain. To boost the output voltage swing and drive the test instrument, a similar two-stage amplifier shown in Fig. 4(c) is added to improve the output voltage and drive the test instrument while maintaining a large bandwidth. The buffer amplifier isn’t needed for a fully integrated chip with a comparator, and then the amplifier could be modified to save power consumption. In addition, the output of the amplifier is also ESD protected

Kết quả (Việt) 1:

Tế bào Gm của Gm-C integrator là de-đã ký được một amplifier nguồn phổ biến cùng một diode được kết nối, mà có một băng thông lớn nhưng nhỏ đạt được. Để tăng hiệu điện thế đầu ra swing và lái xe các dụng cụ thử nghiệm, một khuếch đại hai giai đoạn tương tự như minh hoạ trong hình 4(c) được thêm vào để cải thiện điện áp đầu ra và các dụng cụ thử nghiệm lái xe trong khi duy trì một băng thông lớn. Khuếch đại bộ đệm không phải là cần thiết cho một chip tích hợp đầy đủ với một so sánh, và sau đó khuếch đại có thể được thay đổi để tiết kiệm điện năng tiêu thụ. Ngoài ra, sản lượng của khuếch đại cũng là bảo vệ ESD

Kết quả (Việt) 2:

Các tế bào Gm của Gm-C tích hợp là kế để có một bộ khuếch đại nguồn chung với một diode kết nối tải, trong đó có một băng thông lớn nhưng thu nhỏ. Để thúc đẩy swing điện áp đầu ra và lái xe các dụng cụ thử nghiệm, một bộ khuếch đại hai giai đoạn tương tự như trong hình. 4 (c) được thêm vào để cải thiện điện áp đầu ra và lái xe các dụng cụ thử nghiệm trong khi duy trì một băng thông lớn. Các bộ khuếch đại đệm không cần thiết cho một chip tích hợp đầy đủ với một so sánh, và sau đó khuếch đại có thể được sửa đổi để tiết kiệm điện năng tiêu thụ. Ngoài ra, đầu ra của bộ khuếch đại cũng được bảo vệ ESD