Applying an electric field of, e.g.

Applying an electric field of, e.g., 10 V / 30 nm changes the free carrier density in the intermediate metal-oxide layer (e.g., 8 nm thick ITO)

Kết quả (Việt) 1:

Áp dụng một điện trường của, ví dụ như, 10 V / 30 nm thay đổi mật độ miễn phí tàu sân bay trong lớp kim loại-oxit trung gian (ví dụ như, 8 nm dày ITO)

Kết quả (Việt) 2:

Áp dụng một điện trường, ví dụ, 10 V / 30 nm thay đổi mật độ vận chuyển miễn phí trong các lớp trung gian metal-oxide (ví dụ, 8 nm dày ITO)