The aim of this study was to use th

The aim of this study was to use the newly devel oped edge lithography to fabricate high aspect nano-pattern and are replicated in resist films on silke substrates by thermal NIL(T-NIL). Moreover, the fabricated resist

Kết quả (Việt) 1:

Mục đích của nghiên cứu này đã là sử dụng các vừa được devel oped cạnh in thạch bản để chế tạo cao khía cạnh nano-mô hình và được sao chép trong bộ phim chống lại ngày silke chất nền bằng nhiệt NIL(T-NIL). Hơn nữa, việc chế tạo chống lại

Kết quả (Việt) 2:

Mục đích của nghiên cứu này là để sử dụng mới được phát cạnh oped in thạch bản để chế tạo các khía cạnh cao nano mô hình và được nhân rộng trong chống phim trên đế Silke bởi nhiệt NIL (T-NIL). Hơn nữa, chế tạo chống