1.1 DevicesOnly a relatively small

1.1 Devices
Only a relatively small number of devices can realistically be considered in such a work as this, and only a brief outline of the main types of common semiconduc- tor devices will be given here. The reader should turn to other work for detailed descriptions of these devices (Horenstein 1995; Miles 1989; Streetman 1990).
In bipolar devices, the current is carried by both electrons and holes. These include the p-n junction, and the bipolar junction transistors (BJT) which consist of two p-n junctions close together to form either an n-p-n or a p-n-p three-terminal transistor. The FET (Field Effect Transistor) is a unipolar device with at least three terminals, in which the current involves only the majority carriers. The current- voltage characteristics between the main terminals (the source and drain) is con- trolled by the input on at least one other terminal (the gate and perhaps a fieldplate). The varying input on the gate gives rise to a larger or smaller depletion region beneath it, causing a narrowing or broadening of the carrier conduction channel. Fig. 1.1 illustrates a simplified outline of this device. The gate length is the dis- tance between the edges of the source and drain which are closest to each other, and are usually of the order of 0.1 to 1.0 microns. The width W can vary from several microns to several millimeters. Examples of the FET are

Kết quả (Việt) 1:

1.1 các thiết bịChỉ có một số tương đối nhỏ của các thiết bị thực tế có thể được xem xét trong một tác phẩm như thế này, và chỉ là một phác thảo ngắn gọn các loại chính của thiết bị semiconduc-tor thường sẽ được ở đây. Người đọc nên chuyển sang công việc khác cho các mô tả chi tiết của các thiết bị (Horenstein 1995; Miles 1989; Streetman năm 1990).Trong các thiết bị lưỡng cực, hiện nay được thực hiện bằng điện tử và lỗ. Chúng bao gồm p-n junction và bipolar junction transistor (BJT) bao gồm hai chiếc p-n nút gần nhau để hình thành hoặc là một n-p-n hoặc một bóng bán dẫn p-n-p ba thiết bị đầu cuối. FET (Field Effect Transistor) là một thiết bị unipolar với ít nhất ba thiết bị đầu cuối, mà hiện nay bao gồm chỉ là các tàu sân bay lớn. Đặc điểm điện áp hiện nay giữa các thiết bị đầu cuối chính (nguồn và cống) là côn-trolled bởi đầu vào trên ít nhất một thiết bị đầu cuối (cửa khẩu và có lẽ một fieldplate). Các đầu vào khác nhau trên các cửa khẩu đưa đến một sự suy giảm lớn hơn hoặc nhỏ hơn vùng bên dưới nó, gây ra một thu hẹp hoặc mở rộng các kênh dẫn tàu sân bay. 1.1 hình minh hoạ đơn giản là một phác thảo của thiết bị này. Chiều dài cửa là dis-tance giữa các cạnh của nguồn và cống đó là gần nhất với nhau, và thường Huân chương 0,1 đến 1,0 micron. Bề rộng W có thể khác nhau từ một vài micron vài mm. Ví dụ FET

Kết quả (Việt) 2:

1.1 Thiết bị
Chỉ có một số lượng tương đối nhỏ các thiết bị thực tế có thể được xem xét trong một tác phẩm như thế này, và chỉ có một phác thảo ngắn gọn về các loại chính của thiết bị tor semiconduc- chung sẽ được đưa ra ở đây. Người đọc nên chuyển sang công việc khác cho các mô tả chi tiết của các thiết bị (Horenstein 1995; Miles 1989; Streetman 1990).
Trong các thiết bị lưỡng cực, hiện nay được thực hiện bởi cả hai electron và lỗ trống. Chúng bao gồm các lớp tiếp giáp pn, và các bóng bán dẫn nối lưỡng cực (BJT) bao gồm hai pn nút giao gần nhau để tạo thành một hoặc NPN hoặc PNP transistor ba thiết bị đầu cuối. Các FET (Field Effect Transistor) là một thiết bị đơn cực với ít nhất ba nhà ga, trong đó hiện tại chỉ liên quan đến các tàu sân bay lớn. Các đặc tính điện áp trị dòng giữa các thiết bị đầu cuối chính (nguồn và cống) được con- soát bởi các đầu vào trên ít nhất một thiết bị đầu cuối khác (cửa khẩu và có lẽ một fieldplate). Các đầu vào khác nhau trên cổng đưa đến một khu vực suy giảm lớn hơn hoặc nhỏ hơn bên dưới nó, gây ra một thu hẹp hoặc mở rộng các kênh hãng dẫn. Sung. 1.1 minh họa một phác thảo đơn giản của thiết bị này. Các cửa khẩu chiều dài là khoảng cách với giữa các cạnh của nguồn và cống mà gần gũi nhất với nhau, và thường là những thứ tự của 0,1-1,0 micron. Chiều rộng W có thể thay đổi từ vài micron đến vài mm. Ví dụ về các FET là