Extensive research on the effect of

Extensive research on the effect of electron surface states led to the creation of the first point-contact germanium transistor in 1947 (39, 40).

Kết quả (Việt) 1:

Các nghiên cứu sâu rộng về ảnh hưởng của electron trên bề mặt kỳ đã dẫn đến sự sáng tạo của transistor gecmani điểm tiếp xúc đầu tiên vào năm 1947 (39, 40).

Kết quả (Việt) 2:

nghiên cứu về tác dụng của trạng thái bề mặt điện tử dẫn đến việc tạo ra các bóng bán dẫn germanium điểm tiếp xúc đầu tiên vào năm 1947 (39, 40).