The amount of additional dopant dep

The amount of additional dopant depends on the chanel distance from photoresist edge and termed the well implant proximity effect. The interaction distance can be on the order of 1um or more., with observed VT variation of 50 – 100 mV.

Kết quả (Việt) 1:

Số tiền bổ sung rộng phụ thuộc vào khoảng cách chanel từ hoà cạnh và gọi là có hiệu lực gần gũi cũng cấy ghép. Khoảng cách tương tác có thể 1um or more., với quan sát VT biến thể của 50-100 mV.

Kết quả (Việt) 2:

Lượng dopant thêm phụ thuộc vào chanel khoảng cách từ mép photoresist và gọi là hiệu ứng lân cận cũng implant. Khoảng cách tương tác có thể là vào thứ tự của 1um hoặc hơn, với sự biến đổi VT quan sát 50 -. 100 mV.