From (3) and (4), by choosing Ry an

From (3) and (4), by choosing Ry and electrical length parameters properly, the resonant frequencies,f1 and f2, are located in the desiredfirst and third passbands, respectively.
Then, we can adjust the even-mode resonant frequencies, f1 and f2, by varying the length l3 ,as shown in Fig.3. Moreover, f3 and f4 can be adjusted to generate the second passband by changing the length l4 + l5. The effect of the short-circuited stub perturbation and the gap between the tapped side-coupled

Kết quả (Việt) 1:

Từ (3) và (4), bằng cách chọn Ry và tham số điện chiều dài đúng cách, tần số cộng hưởng, f1 và f2, được đặt tại desiredfirst và passbands thứ ba, tương ứng.Sau đó, chúng tôi có thể điều chỉnh tần số cộng hưởng chế độ thậm chí, f1 và f2, bằng cách thay đổi chiều dài l3, như minh hoạ trong Fig.3. Hơn nữa, f3 và f4 có thể được điều chỉnh để tạo ra passband thứ hai bằng cách thay đổi chiều dài l4 + l5. Các hiệu ứng của nhiễu loạn chập ngẫu nhiên và khoảng cách giữa các tapped bên êm

Kết quả (Việt) 2:

Từ (3) và (4), bằng cách chọn Ry và các thông số chiều dài điện hợp lý, các tần số cộng hưởng, f1 và f2, đang nằm trong desiredfirst và thứ ba dải phổ tương ứng.
Sau đó, chúng ta có thể điều chỉnh ngay cả chế độ tần số cộng hưởng, f1 và f2, bằng cách thay đổi chiều dài l3, như thể hiện trong hình 3. Hơn nữa, f3 và f4 có thể được điều chỉnh để tạo ra các dải thông thứ hai bằng cách thay đổi chiều dài l4 + l5. Ảnh hưởng của nhiễu loạn cuống ngắn mạch và khoảng cách giữa các bên khai thác-coupled