During the last 10 years, power sup

During the last 10 years, power supply
topology has undergone a basic change.
Power supplies of all kinds are now
constructed so that heavy and bulky
50/60 Hz mains transformers are no
longer necessary. These transformers
represented the major part of volume
and weight of a traditional power
supply. Today they have been replaced
with smaller and lighter transfomers,
whose core materials now consist of
sintered ferrites instead of iron laminations
and which can operate up to 250
kHz. For the same power rating, high
frequency operation significantly reduces
the weight and volume of the
transformer. This development has
been significantly influenced by new,
fast switching power transistors, such
as MOSFETS or IGBTs, working at high
blocking voltages (VCES > 600 V).
However, nearly all topologies equipped
with these transistors also need
ultrafast diodes to conduct the reactive
load current and to rectify the AC
output when DC voltage is required.
The switching behavior of these diodes
must be tailored to match the switching
charcteristics of the transistors.
This is not only true for switch mode
power supplies but also for inverter
circuits. For these inverters, manufacturers
have chosen PWM frequencies
of about 8 kHz to create a smooth
sinoidial waveform of the output current
or have used a PWM frequency
above 20 kHz in order to operate above
the audible level.
Apart from the characteristics of the
transitor switches, the on-state and
dynamic characteristics of the free
wheeling diodes have a significant impact
on the power loss, the efficiency
and the degree of safety in operation of
the whole equipment. They also play a
decisive role when it comes to increasing
the efficiency of a SMPS and to
reduce the losses of an inverter, which
clearly mandates that ultrafast diodes
be used. The ultrafast diodes described
here embrace all characteristics of
modern epitaxial diodes, such as soft
recovery, low reverse recovery current
IRM with short reverse recovery
times.
The abbreviation FRED (Fast Recovery
Epitaxial Diodes) stands for a series of
ultrafast diodes, which have gained wide
acceptance during the last few years.
There exist several methods to control
the switching characteristics of diodes
and each leads to a different interdependency
of forward voltage drop VF,
blocking voltage VRRM and trr values. It is
these interdependencies (or compromises)
that differeniate the ultrafast diodes
available on the market today. Fig.1
shows a qualitative relationship of forward
voltage VF and reverse recovery
time trr. The most important parameters
for the turn-on and turn-off behavior of a
diode (Fig. 2) VFR, VF, tfr and IRM, trr will be
influenced by different manufacturing
processes. But as shown in Fig. 1, each
technology must come up with a its own
compromise between forward voltage
and recovery time to obtain a device that
will operate satisatisfac-torily.

Kết quả (Việt) 1:

Trong 10 năm qua, cung cấp điệncấu trúc liên kết đã trải qua một sự thay đổi cơ bản.Bộ cấp nguồn của tất cả các loại bây giờxây dựng vì vậy mà nặng và cồng kềnh50/60 Hz nguồn điện máy biến áp khôngcòn cần thiết. Các máy biến ápđại diện cho một phần lớn của khối lượngvà trọng lượng của một quyền lực truyền thốngcung cấp. Hôm nay họ đã được thay thếvới nhỏ hơn và nhẹ hơn transfomers,vật liệu cốt lõi mà bây giờ bao gồmthiêu kết ferrites thay vì sắt laminationsvà đó có thể hoạt động lên đến 250kHz. Sức mạnh cùng đánh giá, caotần số hoạt động một cách đáng kể làm giảmtrọng lượng và khối lượng của cácMáy biến áp. Sự phát triển này cóđáng kể ảnh hưởng bởi mới,nhanh chóng chuyển đổi quyền lực bóng bán dẫn, như vậynhư MOSFETS hoặc IGBTs, làm việc tại Trungchặn điện áp (VCES > 600 V).Tuy nhiên, gần như tất cả topo được trang bịvới các bóng bán dẫn cũng cầnđiốt ultrafast để tiến hành các phản ứngtải hiện tại và để khắc phục ACđầu ra khi điện áp DC được yêu cầu.Hành vi chuyển đổi của các điốtphải được thiết kế riêng để phù hợp với các chuyển đổicharcteristics của các bóng bán dẫn.Điều này là không chỉ đúng cho chế độ chuyển đổinguồn mà còn cho các biến tầnMạch. Cho các biến tần, nhà sản xuấtđã chọn tần số PWMcủa khoảng 8 kHz để tạo ra một mịnsinoidial dạng sóng của dòng đầu rahoặc đã sử dụng một tần số PWMtrên 20 kHz để hoạt động trênmức độ âm thanh.Ngoài các đặc tính của cácthiết bị chuyển mạch transitor, trên tiểu bang vàCác đặc tính năng động của Việtđiốt khỏi có một tác động đáng kểngày mất quyền lực, hiệu quảvà mức độ an toàn trong hoạt động củaCác thiết bị toàn bộ. Họ cũng chơi mộtvai trò quyết định khi nói đến gia tănghiệu quả của một mini và đếngiảm các thiệt hại của một biến tần, màrõ ràng nhiệm vụ đó ultrafast điốtđược sử dụng. Điốt ultrafast mô tảở đây nắm lấy tất cả các đặc tính củahiện đại trải điốt, chẳng hạn như mềmphục hồi, thấp đảo ngược phục hồi hiện tạiIRM với ngắn phục hồi đảo ngượclần.Tên viết tắt FRED (nhanh chóng phục hồiĐiốt trải) là viết tắt của một loạt cácultrafast điốt, đã trở nên rộngchấp nhận trong vài năm qua.Có tồn tại một số phương pháp để kiểm soátCác đặc tính chuyển đổi của các điốtvà mỗi dẫn đến một interdependency khác nhauchuyển tiếp điện áp thả VF,chặn điện áp VRRM và trr giá trị. Nó làCác lẫn (hay thỏa hiệp)đó differeniate ultrafast điốtcó sẵn trên thị trường hiện nay. Fig.1cho thấy một mối quan hệ về chất lượng của chuyển tiếpđiện áp VF và đảo ngược phục hồithời gian trr. Các thông số quan trọng nhấtĐối với hành vi turn-on và turn-off của mộtdiode (hình 2) VFR, VF, tfr và IRM, trr sẽchịu ảnh hưởng của sản xuất khác nhauquy trình. Tuy nhiên, như minh hoạ trong hình 1, mỗicông nghệ phải đi lên với một mìnhsự thỏa hiệp giữa chuyển tiếp điện ápvà thời gian phục hồi để có được một thiết bị màsẽ hoạt động satisatisfac torily.

Kết quả (Việt) 2:

Trong 10 năm qua, cung cấp điện
topology đã trải qua một sự thay đổi cơ bản.
Nguồn cung cấp của tất cả các loại đang được
xây dựng để nặng và cồng kềnh
50/60 Hz điện máy biến áp là không
còn cần thiết. Những biến
đại diện cho một phần lớn khối lượng
và trọng lượng của một quyền lực truyền thống
cung ứng. Hôm nay họ đã được thay thế
với Biến thế nhỏ hơn và nhẹ hơn,
mà nguyên liệu cốt lõi hiện nay bao gồm
ferrites thiêu kết thay vì laminations sắt
và có thể hoạt động lên đến 250
kHz. Đối với giá điện tương tự, cao
tần số hoạt động làm giảm đáng kể
trọng lượng và khối lượng của
máy biến áp. Sự phát triển này đã
bị ảnh hưởng đáng kể bởi mới,
chuyển đổi nhanh chóng bóng bán dẫn điện, chẳng hạn
như MOSFET hay IGBT, làm việc tại cao
điện áp chặn (VCES> 600 V).
Tuy nhiên, gần như tất cả các cấu trúc liên kết trang bị
với các transistor này cũng cần
điốt cực nhanh để tiến hành các phản ứng
phụ tải hiện và khắc phục các AC
đầu ra khi điện áp DC là cần thiết.
Những hành vi chuyển đổi của các điốt
phải được thiết kế để phù hợp với chuyển đổi
charcteristics của các bóng bán dẫn.
Điều này không chỉ đúng đối với chế độ chuyển đổi
nguồn cung cấp điện năng mà còn cho biến tần
mạch. Đối với các biến tần, các nhà sản xuất
đã lựa chọn tần số PWM
khoảng 8 kHz để tạo ra một mịn
dạng sóng sinoidial sản lượng hiện tại
hoặc đã sử dụng một tần số PWM
trên 20 kHz để hoạt động trên
các cấp độ âm thanh.
Ngoài các đặc tính của
thiết bị chuyển mạch transitor, về nhà nước và
đặc điểm năng động của tự do
điốt sự xoay có một tác động đáng kể
về các tổn thất điện năng, hiệu quả
và mức độ an toàn trong hoạt động của
toàn bộ thiết bị. Họ cũng đóng một
vai trò quyết định khi nói đến tăng
hiệu quả của một SMPS và để
giảm thiểu thiệt hại của một biến tần, mà
ủy thác rõ ràng rằng điốt cực nhanh
được sử dụng. Các diode cực nhanh được mô tả
ở đây nắm lấy tất cả các đặc tính của
điốt epitaxy hiện đại, chẳng hạn như phần mềm
phục hồi, phục hồi ngược thấp hiện nay
với IRM ngắn phục hồi ngược
thời gian.
Các chữ viết tắt FRED (nhanh phục hồi
epitaxy Diodes) là viết tắt của một loạt các
điốt cực nhanh, mà đã đạt được nhiều
chấp nhận trong vài năm qua.
Có tồn tại một số phương pháp để kiểm soát
các đặc tính chuyển đổi của điốt
và từng dẫn đến một khác nhau phụ thuộc lẫn nhau
của chuyển tiếp điện áp thả VF,
chặn VRRM điện áp và TRR giá trị. Đó là
những phụ thuộc lẫn nhau (hoặc thỏa hiệp)
mà differeniate các điốt cực nhanh
có sẵn trên thị trường hiện nay. Hình 1
cho thấy một mối quan hệ định tính chuyển tiếp
điện áp VF và phục hồi ngược
thời gian TRR. Các thông số quan trọng nhất
cho các turn-on và hành vi turn-off của một
diode (Fig. 2) VFR, VF, TFR và IRM, TRR sẽ
chịu ảnh hưởng của sản xuất khác nhau
quá trình. Nhưng như thể hiện trong hình. 1, mỗi
công nghệ phải đi lên với một riêng của nó
thỏa hiệp giữa chuyển tiếp điện áp
và thời gian hồi phục để có được một thiết bị
sẽ hoạt động satisatisfac-torily.